[发明专利]一种应用于封装电子元器件双工位超灵敏检漏方法及系统

权利要求书

1.一种应用于封装电子元器件双工位超灵敏检漏方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.将封装电子元器件放入前处理罐，对封装电子元器件进行加压充氦；

S2.充氦结束后，对前处理罐进行保压处理；

S3.将前处理罐内的氦气排出，然后通入干燥的热氮气进行吹扫；

S4.取出前处理罐内的封装电子元器件放置到第一工位进行细检，所述第一工位采用氟橡胶密封圈和负压吸紧的形式进行密封，所述细检方法包括：

S41.对第一工位进行本底校准，分别测试本底氦信号和打开第一标准漏孔后稳定后的氦信号；

S42.取出前处理罐中的封装电子元器件，放入到第一工位的细检盒内密封，并对细检盒进行抽空；

S43.当到达一定真空度，稳定后，开启质谱计对氦信号进行采集检测；

S44.通过稳定后的氦信号和本底氦信号比对，并结合第一标准漏孔的漏率，计算出封装电子元器件的漏率；

S45.如果未出现细检灵敏度范围内所能检测到的漏率值，则进入步骤S5进行精检；

S5.取出第一工位的封装电子元器件放置到第二工位进行精检，所述第二工位采用无氧铜垫和螺栓压紧的形式进行密封，所述精检方法包括：

S51.对第二工位进行本底校准，分别测试本底氦信号和打开第二标准漏孔后氦离子流的上升率；

S52.取出第一工位细检盒内的电子元器件，放入到第二工位精检盒内密封，并对精检盒进行抽空；

S53.到达一定真空度后，开启质谱计对氦信号进行采集检测；

S54.当精检盒内到达较高真空度后，开启吸气泵继续抽空一段时间，然后关闭泵组阀门，使精检盒内形成累积封闭的真空腔体；

S55.电子元器件泄露的示氦气体会在封闭的真空腔体累积，通过质谱计采集测出电子元器件对氦信号的上升率和本底氦信号的上升率比较，并结合第二标准漏孔的漏率，计算出封装电子元器件的漏率；

S56.如果未出现精检灵敏度范围内所能检测到的漏率值，则进入步骤S6进行大漏率粗检；

S6.取出第二工位的封装电子元器件放置到加压充氟的容器中进行大漏率粗检，所述大漏率粗检包括：

S61.取出第二工位精检盒内的电子元器件，放入到可观测的加压充氟容器中，并对容器进行抽空；

S62.在真空状态下向容器内注入低沸点氟油，使其淹没封装的电子元器件，并对容器上部空间通入氮气加压；

S63.从容器中取出封装的电子元器件，待电子元器件表面干燥后，去除表面的低沸点氟油；

S64.将表面处理后的封装电子元器件放入到125℃的高沸点氟油中，浸入深度≥5cm，浸入一定时间后，观察气泡情况；

S65.如果出现连续气泡现象，表明封装的电子元器件具有较大的漏率，如果未出现连续气泡现象，表明该封装的电子元器件具有较好的密封效果。

2.如权利要求1所述的应用于封装电子元器件双工位超灵敏检漏方法，其特征在于，采用步骤S4细检方法用于筛查漏率范围为10^-5-10^-12Pa·m³/s的封装电子元器件，采用步骤S5精检方法用于筛查漏率范围为10^-13-10^-15Pa·m³/s的封装电子元器件，采用步骤S6粗检方法用于筛查漏率范围为大于10^-5Pa·m³/s的封装电子元器件。

3.一种运行权利要求1-2任一项所述的应用于封装电子元器件双工位超灵敏检漏方法的系统，其特征在于，包括预处理系统，工位放置系统以及采集测试系统，其中：

所述预处理系统与所述采集测试系统连通；

所述工位放置系统包括第一工位放置系统和第二工位放置系统，所述第一工位放置系统和所述第二工位放置系统均与所述采集测试系统连通。

4.如权利要求3所述的运行应用于封装电子元器件双工位超灵敏检漏方法的系统，其特征在于，所述预处理系统包括前处理罐、氮气瓶以及氦气瓶，其中：

所述前处理罐内部设置有筛网，通过排气阀与外界连通，通过抽气阀与所述采集测试系统连通；

所述前处理罐通过氦气阀与所述氦气瓶连通，通过氮气阀与所述氮气瓶连通；

所述氮气阀与所述氮气瓶之间设置有预热器。