[发明专利]一种桥式电路的驱动方法及装置有效

专利信息
申请号: 202010918568.7 申请日: 2020-09-04
公开(公告)号: CN111817537B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 胡锦敏;林钊 申请(专利权)人: 深圳赫兹创新技术有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 代理人: 贾振勇
地址: 518126 广东省深圳市宝安区西乡*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电路 驱动 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种桥式电路的驱动方法,其特征在于,应用于桥式电路,所述桥式电路包括上MOS管、与所述上MOS管连接的上管负压建立电路、与所述上MOS管连接的下MOS管以及与所述下MOS管连接的下管负压建立电路,所述驱动方法包括以下步骤:

启动开机;

向所述下管负压建立电路发送预设驱动信号,所述下管负压建立电路使所述下MOS管导通,所述预设驱动信号包括预设驱动频率、预设驱动占空比以及预设驱动时间;

待所述下MOS管建立预设下管负压后,向所述上管负压建立电路和所述下管负压建立电路发送交替驱动信号,以使所述上MOS管和所述下MOS管交替导通,建立所述上MOS管的预设上管负压,并实现能量输出;

其中,所述向所述下管负压建立电路发送预设驱动信号,所述下管负压建立电路使所述下MOS管导通的步骤之前,还包括以下步骤:

根据所述上MOS管和所述下MOS管交替导通时的所述上MOS管和所述下MOS管的频率,获取建立所述预设下管负压时的所述预设驱动频率;

根据所述上MOS管和所述下MOS管交替导通时的所述上MOS管的初始占空比、所述下MOS管的初始占空比以及单边死区时间,获取建立所述预设下管负压时的所述预设驱动占空比;

根据所述预设驱动频率和所述预设驱动占空比获取经过调试后的建立所述预设下管负压时的所述预设驱动时间;

根据所述预设驱动频率、所述预设驱动占空比以及所述预设驱动时间生成所述预设驱动信号。

2.如权利要求1所述的桥式电路的驱动方法,其特征在于,所述向所述下管负压建立电路发送预设驱动信号,所述下管负压建立电路使所述下MOS管导通的步骤之前,还包括以下步骤:

判断是否发生故障;

若是,关闭所述上MOS管和所述下MOS管,并在第一预设时间后重新启动开机。

3.如权利要求1所述的桥式电路的驱动方法,其特征在于,所述待所述下MOS管建立预设下管负压后,向所述上管负压建立电路和所述下管负压建立电路发送交替驱动信号,以使所述上MOS管和所述下MOS管交替导通,建立所述上MOS管的预设上管负压,并实现能量输出的步骤之前,还包括以下步骤:

判断是否发生故障;

若是,关闭所述上MOS管和所述下MOS管,并在第二预设时间后重新启动开机。

4.如权利要求1所述的桥式电路的驱动方法,其特征在于,所述上管负压建立电路包括第一电容、第一稳压管和第一分压电阻,所述第一电容与所述第一稳压管并联后分别串联一所述第一分压电阻,接入到所述上MOS管的栅极和源极;所述下管负压建立电路包括第二电容、第二稳压管和第二分压电阻,所述第二电容与所述第二稳压管并联后分别串联一所述第二分压电阻,接入到所述下MOS管的栅极和源极。

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