[发明专利]有机发光装置及包括该有机发光装置的平板显示设备在审
申请号: | 202010918738.1 | 申请日: | 2020-09-03 |
公开(公告)号: | CN112447922A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 康南洙;金珍;李东奎;李炫植;崔晶浩;黄载薰 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 赵嫦;孔丽君 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 包括 平板 显示 设备 | ||
1.一种有机发光装置,包括:
第一电极;
面向所述第一电极的第二电极;
在所述第一电极和所述第二电极之间的数量为m个的发光单元;以及
分别在所述数量为m个的所述发光单元当中的每对邻近的发光单元之间的数量为m-1个的电荷产生层,每个电荷产生层包括n-型电荷产生层和p-型电荷产生层,
其中m为大于或等于3的整数,
所述数量为m个的所述发光单元各自包括顺序堆叠的空穴传输区、发射层和电子传输区,
所述数量为m个的所述发光单元中包括的数量为m个的所述电子传输区各自包括电子传输材料,并且
在所述数量为m个的所述电子传输区当中的至少一个电子传输区中包括的电子传输材料不同于在其他电子传输区当中的至少一个电子传输区中包括的电子传输材料。
2.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中在所述数量为m个的所述电子传输区当中的第m个电子传输区在第m个发射层和所述第二电极之间,并且
所述第m个电子传输区中包括的电子传输材料不同于在其他电子传输区当中的至少一个电子传输区中包括的电子传输材料。
3.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述数量为m个的所述电子传输区中包括的数量为m种的所述电子传输材料各自独立地选自第一化合物、第二化合物和第三化合物,并且
所述第一化合物由式1表示,所述第二化合物由式2表示,并且所述第三化合物由式3表示:
式1
式2
式3
其中,在式1中,
X1为O或S,
L1至L3各自独立地为取代的或未取代的C5-C60碳环基团或取代的或未取代的C1-C60杂环基团,
a1至a3各自独立地为选自0至5的整数,
Ar1至Ar3各自独立地为取代的或未取代的C5-C60碳环基团或取代的或未取代的C1-C60杂环基团,
在式2中,
A11和A12各自独立地为C5-C60碳环基团或C1-C60杂环基团,
R11和R12各自独立地选自由*-(L13)a13-Ar13表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1-C60烷基、取代的或未取代的C2-C60烯基、取代的或未取代的C2-C60炔基、取代的或未取代的C1-C60烷氧基、取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)和-P(=O)(Q1)(Q2),
R11和R12任选地彼此连接,以形成取代的或未取代的C5-C60碳环基团或取代的或未取代的C1-C60杂环基团,
L11至L13各自独立地为取代的或未取代的C5-C60碳环基团或取代的或未取代的C1-C60杂环基团,
a11至a13各自独立地为选自0至5的整数,
Ar11至Ar13各自独立地为取代的或未取代的C5-C60碳环基团或取代的或未取代的C1-C60杂环基团,
b11和b12各自独立地为选自1至5的整数,
c11和c12各自独立地为选自0至20的整数,
在式3中,
A21为含π电子耗尽的氮的环,
L21为取代的或未取代的C5-C60碳环基团或取代的或未取代的C1-C60杂环基团,
a21为选自0至5的整数,
Ar21为取代的或未取代的C5-C60碳环基团或取代的或未取代的C1-C60杂环基团,
b21为选自1至5的整数,
c21为选自0至20的整数,
所述取代的C5-C60碳环基团、所述取代的C1-C60杂环基团、所述取代的C1-C60烷基、所述取代的C2-C60烯基、所述取代的C2-C60炔基、所述取代的C1-C60烷氧基、所述取代的C3-C10环烷基、所述取代的C1-C10杂环烷基、所述取代的C3-C10环烯基、所述取代的C1-C10杂环烯基、所述取代的C6-C60芳基、所述取代的C6-C60芳氧基、所述取代的C6-C60芳硫基、所述取代的C1-C60杂芳基、所述取代的单价非芳族稠合多环基团和所述取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基选自:
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基;
各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-B(Q11)(Q12)、-C(=O)(Q11)、-S(=O)2(Q11)和-P(=O)(Q11)(Q12)中的至少一个取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基;
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基;
各自被选自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基、三联苯基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)、-C(=O)(Q21)、-S(=O)2(Q21)和-P(=O)(Q21)(Q22)中的至少一个取代的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基;以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)、-C(=O)(Q31)、-S(=O)2(Q31)和-P(=O)(Q31)(Q32),
Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基,并且
*指示与相邻的原子的结合位点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择