[发明专利]一种半导体芯片镀膜装置有效
申请号: | 202010919096.7 | 申请日: | 2020-09-04 |
公开(公告)号: | CN112063971B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 吴盛春;范晓君;袁建锋;陈茂彬;黄钦亮 | 申请(专利权)人: | 湖南辰皓真空科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/22 | 分类号: | C23C14/22;H01L21/67 |
代理公司: | 广州海藻专利代理事务所(普通合伙) 44386 | 代理人: | 张大保 |
地址: | 410205 湖南省长沙市长沙高新开发*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 镀膜 装置 | ||
1.一种半导体芯片镀膜装置,包括底座,其特征在于:所述底座内部设置有液压杆,且液压杆顶部设置有贯穿底座顶部的提取引导块,所述底座顶部设置有提取管道,所述提取管道内部中间设置有一对引导齿杆,且一对引导齿杆外部滑动套接有提取滑车,所述提取滑车内部中间滑动套接有与提取引导块配合的顶柱,且顶柱贯穿至提取滑车顶部一端设置有与其配合的托圈,所述底座及提取管道一侧设置有镀膜舱底座,且镀膜舱底座顶部设置有与提取管道连通的镀膜舱,所述镀膜舱内部设置有一对镀膜架滑轨,且一对镀膜架滑轨之间滑动连接有镀膜架,所述镀膜架顶部中间设置有镀膜盘,所述镀膜舱远离提取管道一端设置有进口翻盖,且镀膜舱延伸至提取管道内部一端旋转连接有镀膜舱滑盖,所述提取引导块顶部两侧为斜坡结构。
2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片镀膜装置,其特征在于:一对所述引导齿杆相互靠近的一侧皆设置有齿槽,所述提取滑车内部设置有与齿槽配合的电力滚轴。
3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片镀膜装置,其特征在于:所述镀膜盘底部设置有与托圈契合的托圈槽,所述托圈外侧设置有多组贯穿并连通至内部的泄压孔。
4.根据权利要求1所述的一种半导体芯片镀膜装置,其特征在于:所述镀膜架中间设置有与托圈及顶柱配合的托取槽,且镀膜架顶部中间位于托取槽两侧处设置有与镀膜盘配合的盘槽。
5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片镀膜装置,其特征在于:所述镀膜舱顶部靠近进口翻盖一端设置有与其配合的翻盖电力滚轴,镀膜舱靠近镀膜舱滑盖一端上部设置有与其配合的滑盖电力滚轴。
6.根据权利要求1所述的一种半导体芯片镀膜装置,其特征在于:所述镀膜舱内部设置有与镀膜架配合的推送机组,且镀膜舱内部设置有真空镀膜器。
7.根据权利要求1所述的一种半导体芯片镀膜装置,其特征在于:所述引导齿杆一端设置有外螺纹,且引导齿杆另一端设置有与外螺纹配合的内螺纹。
8.根据权利要求1所述的一种半导体芯片镀膜装置,其特征在于:所述提取管道及底座皆设置有与额外的提取管道及底座相连接的连接杆件。
9.根据权利要求1所述的一种半导体芯片镀膜装置,其特征在于:所述底座顶部中间开设有连通其内部并与提取引导块配合的提升孔,且提升孔内壁设置有与提取引导块配合的限位滑槽。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南辰皓真空科技有限公司,未经湖南辰皓真空科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010919096.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类