[发明专利]测体温用红外滤光片及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种测体温用红外滤光片，其特征在于，所述的红外滤光片包括基底、第一膜系结构以及第二膜系结构，所述的第一膜系结构和第二膜系结构分别设置于所述的基底的两侧；

所述的第一膜系结构为：

Sub/0.37H0.39L0.88H0.57L0.79H0.68L0.66H0.72L0.57H0.75L0.63H0.69L0.67H0.63L0.82H0.82L0.84H1.12L0.79H1.05L1.08H0.81L1.12H1.09L0.66H1.52L0.73H0.71L2.50H0.14L1.23H1.96L/Air，其中Sub表示基底，Air表示空气，H为四分之一波长光学厚度的Ge膜层，L为四分之一波长光学厚度的ZnS膜层，设计波长为4300nm；

所述的第二膜系结构为：

Sub/0.34H0.37L0.84H0.39L0.49H0.35L0.48H0.30L0.38H0.40L0.37H0.55L0.50H0.72L0.42H0.61L0.42H0.48L0.55H0.43L0.54H0.39L0.87H0.74L0.45H0.34L0.25H1.68L0.38H1.31L1.13H0.41L1.93H0.72L0.59H2.33L0.39H0.88L2.34H0.06L1.38H1.89L/Air，其中Sub表示基底，Air表示空气，H为四分之一波长光学厚度的Ge膜层，L为四分之一波长光学厚度的ZnS膜层，设计波长为4300nm；

所述的红外滤光片的透射波段5.5～14μm的平均透射率Tave＞85%，截止波段UV～5μm的最大透射率Tmax0.1%；

所述的基底为区熔单晶硅或区熔单晶锗片。

2.根据权利要求1所述的测体温用红外滤光片，其特征在于，所述的基底的厚度为0.35～0.5mm。

3.一种用于制备权利要求1或2所述的测体温用红外滤光片的方法，其特征在于，所述的方法包括步骤：

（1）将基底装入夹具并放置到镀膜机真空室内，抽真空；

（2）烘烤基底；

（3）离子轰击基底；

（4）在基底的一侧，按照第一膜系结构要求的膜层逐层镀制第一膜系结构；

（5）将基底翻面，重复步骤（1）～（3），以在基底的另一侧，按照第二膜系结构要求的膜层逐层镀制第二膜系结构；

（6）镀制结束后，破空，取件。

4.根据权利要求3所述的用于制备所述的测体温用红外滤光片的方法，其特征在于，所述的步骤（1）具体为：

将厚度为0.35～0.5mm、光洁度满足40/20标准的区熔单晶硅片或区熔单晶锗片基底材料装入夹具并放置到镀膜机真空室内，将本底真空度抽至1×10^-3Pa；

所述的步骤（2）具体为：

在170℃～190℃下烘烤基底材料，并保持恒温20min以上；

所述的步骤（3）具体为：

采用霍尔离子源离子轰击所述的基底材料5～15min，其中，离子源使用高纯氩气，气体流量为10～20sccm，轰击结束5分钟以内开始镀膜；

所述的步骤（6）具体为：

镀制结束后，烘烤温度降至40～60℃，进行破空、取件。

5.根据权利要求3所述的用于制备所述的测体温用红外滤光片的方法，其特征在于，所述的步骤（4）具体为：

按照第一膜系结构要求的膜层逐层镀制第一膜系结构，采用电子束蒸发工艺蒸发Ge膜料，采用电阻蒸发工艺蒸发ZnS膜料，其中Ge膜的镀膜速率为0.4～0.6nm/s，ZnS膜的镀膜速率为0.9～1.1nm/s，沉积过程使用间接光控和晶控联合控制膜层厚度及镀膜速率。