[发明专利]纳米片场效应晶体管器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

鳍，突出于衬底上方；

源极/漏极区域，在所述鳍之上；

纳米片，在所述源极/漏极区域之间，其中，所述纳米片包括第一半导体材料；

内部间隔件，在所述纳米片之间并且在所述纳米片的相反端部处，其中，在每个所述内部间隔件与所述源极/漏极区域中的相应源极/漏极区域之间存在气隙；以及

栅极结构，在所述鳍之上并且在所述源极/漏极区域之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述纳米片彼此平行并且平行于所述衬底的主上表面。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：材料层，在每个所述内部间隔件与所述相应源极/漏极区域之间，其中，所述气隙在每个所述内部间隔件与所述材料层之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述材料层是第二半导体材料的层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料与所述第二半导体材料相同。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述源极/漏极区域具有在所述纳米片之间朝向所述内部间隔件延伸的多个突起，其中，所述材料层在所述多个突起之上共形地延伸。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述材料层是第一电介质材料的层，并且所述内部间隔件包括第二电介质材料。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一电介质材料与所述第二电介质材料相同。

9.一种半导体器件，包括：

鳍，突出于衬底上方；

栅极结构，在所述鳍之上；

所述鳍之上的源极/漏极区域，在所述栅极结构的相反侧；

第一沟道层和第二沟道层，布置在所述源极/漏极区域之间并且彼此平行，其中，所述栅极结构围绕所述第一沟道层和所述第二沟道层；以及

内部间隔件，布置在所述第一沟道层的端部和所述第二沟道层的端部之间，其中，在所述内部间隔件与所述源极/漏极区域之间存在气隙。

10.一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：

在纳米结构之上和鳍之上形成虚设栅极结构，所述纳米结构覆盖于所述鳍之上，所述鳍突出于所述衬底上方，所述纳米结构包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；

在所述虚设栅极结构的相反侧的所述纳米结构中形成开口，所述开口暴露所述第一半导体材料的端部和所述第二半导体材料的端部；

使所述第一半导体材料的所暴露的端部凹陷以形成凹槽；

在所述凹槽中形成虚设内部间隔件，并在所述凹槽中的所述虚设内部间隔件之上形成材料层；

在形成所述材料层之后，在所述开口中形成源极/漏极区域；

在形成所述源极/漏极区域之后，去除所述虚设栅极结构以暴露布置在所述虚设栅极结构下方的所述第一半导体材料和所述第二半导体材料；

去除所暴露的第一半导体材料和所述虚设内部间隔件，其中，所述第二半导体材料保留并形成多个纳米片，其中，所述材料层在去除所述虚设内部间隔件之后暴露；以及

在所述多个纳米片的相反端部处，在所述源极/漏极区域之间形成内部间隔件，其中，所述内部间隔件中的每个间隔件密封所述每个内部间隔件与所述材料层之间的气隙。