[发明专利]一种应用于低功耗超声气体流量计的电压基准源电路在审
申请号: | 202010921019.5 | 申请日: | 2020-09-04 |
公开(公告)号: | CN112000171A | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 张子豪;孙哲政;张子谦;黄丝美;王家燕 | 申请(专利权)人: | 中筑科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 合肥道正企智知识产权代理有限公司 34130 | 代理人: | 闫艳艳 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 功耗 超声 气体 流量计 电压 基准 电路 | ||
1.一种应用于低功耗超声气体流量计的电压基准源电路,其特征在于,包括参考电压发生模块和电流产生模块,
所述电流产生模块配置成为参考电压发生模块提供与绝对温度成正比的电流;
所述参考电压发生模块配置成产生供外部电路使用的参考电压;
所述电压基准源电路配置成通过参考电压发生模块和电流产生模块产生对PVT变化不敏感的参考电压。
2.根据权利要求1所述的一种应用于低功耗超声气体流量计的电压基准源电路,其特征在于,所述电流产生模块包括启动电路、自偏置产生电路和电流核心电路;
所述自偏置产生电路用于为电流核心电路提供偏置电压;
所述电流核心电路用于产生与绝对温度成正比的电流。
3.根据权利要求2所述的一种应用于低功耗超声气体流量计的电压基准源电路,其特征在于,所述启动电路包括NMOS管NM1、NM2,PMOS管PM1,其中NM2和PM1共漏极接入NM1的栅极,所述NM1、NM2的源极以及PM1的栅极均接入公共接地端,所述PM1源极接入直流正电源。
4.根据权利要求2所述的一种应用于低功耗超声气体流量计的电压基准源电路,其特征在于,自偏置电路包括NMOS管NM3,PMOS管PM2,其中NM3与PM2共漏极并接入PM2的栅极,所述PM2源极接入直流正电源,NM3的源极接入公共接地端。
5.根据权利要求2所述的一种应用于低功耗超声气体流量计的电压基准源电路,其特征在于,所述电流核心电路包括NMOS管NM4、NM5、NM6,PMOS管PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8,其中PM3、PM4、PM5共栅极且源极均接入直流正电源,所述PM6、PM7、PM8共栅极且源极分别与所述PM3、PM4、PM5的漏极一一对应相连,所述PM6与NM4共漏极且接入所述PM3的栅极,所述PM7漏极通过电阻R1与NM5的漏极以及NM6的栅极相连,所述NM5的栅极与PM7漏极相连,所述NM4、NM5、NM6源极接入公共接地端,所述NM4栅极与PM8以及NM6漏极相连。
6.根据权利要求1所述的一种应用于低功耗超声气体流量计的电压基准源电路,其特征在于,所述参考电压发生模块包括NMOS管NM7,PMOS管PM9、PM10,所述PM9的源极接入直流正电源、漏极接入PM10的源极,所述PM10漏极通过电阻R2接入NM7的漏极和栅极、通过电阻R3与NM7的源极共同接入公共接地端,参考电压输出端接PM10漏极。
7.根据权利要求6所述的一种应用于低功耗超声气体流量计的电压基准源电路,其特征在于,所述NM1的漏极接入PM3的栅极,所述NM2、NM3、NM4共栅极并接入PM8的漏极,所述PM2和PM6共栅极并接入PM10的栅极,所述PM5与PM9共栅极。
8.根据权利要求7所述的一种应用于低功耗超声气体流量计的电压基准源电路,其特征在于,所述NM5和NM6工作在亚阈值区。
9.根据权利要求6所述的一种应用于低功耗超声气体流量计的电压基准源电路,其特征在于,所述电流核心电路中的MOS管采用长沟道MOS管。
10.根据权利要求6所述的一种应用于低功耗超声气体流量计的电压基准源电路,其特征在于,所述参考电压发生模块中的NMOS管工作在亚阈值区,用于产生温度补偿设计所需的具有负温度系数的VGsn。
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