[发明专利]宇航用高压二极管抗单粒子烧毁系统级加固方法及电路

权利要求书

1.一种宇航用高压二极管抗单粒子烧毁系统级加固方法，针对宇航系统中采用的多个高压快恢复整流二极管D_i；所述多个高压快恢复整流二极管D_i按照设计要求的拓扑结构布置；其特征在于：将每个高压快恢复整流二极管D_i替换为同规格的至少两个高压快恢复整流二极管串联结构，重离子轰击前，两个串联的高压快恢复整流二极管都处于正常工作状态，共同承担反向偏置电压；重离子轰击其中一个高压快恢复整流二极管时，会在被轰击器件内部形成一股大的瞬态电流脉冲，使得被轰击器件两端的电压降迅速减小，减小的电压降转移到另一个未被重离子轰击的高压快恢复整流二极管上，以保证串联结构整体偏置电压不变；当重离子在器件内部诱导的载流子在被轰击器件内部复合消失或被被轰击器件两端完全收集时，瞬态电流脉冲消失，被轰击二极管上转移的电压降又重新转移回来，串联结构恢复到正常工作状态。

2.根据权利要求1所述的宇航用高压二极管抗单粒子烧毁系统级加固方法，其特征在于：所述每个高压快恢复整流二极管D_i替换为串联的第一高压快恢复整流二极管D_ia和第二高压快恢复整流二极管D_ib。

3.根据权利要求1或2所述的宇航用高压二极管抗单粒子烧毁系统级加固方法，其特征在于：所述高压快恢复整流二极管D_i的耐压值为1200V。

4.根据权利要求3所述的宇航用高压二极管抗单粒子烧毁系统级加固方法，其特征在于：所述多个高压快恢复整流二极管D_i与其他元器件按照设计要求的拓扑结构组成电源处理单元(PPU)中的屏栅电源输出整流滤波电路。

5.根据权利要求3所述的宇航用高压二极管抗单粒子烧毁系统级加固方法，其特征在于：所述高压快恢复整流二极管均采用SiC SBD器件。

6.一种应用于宇航系统中电源处理单元(PPU)的屏栅电源输出整流滤波电路，采用高压快恢复整流二极管D₁、D₂、D₃、D₄构成桥式整流电路，高压快恢复整流二极管D₅、D₆分别作为CDD缓冲网络中的箝位二极管和续流二极管；其特征在于：所述高压快恢复整流二极管D₁、D₂、D₃、D₄、D₅以及D₆分别单独替换为同规格的至少两个高压快恢复整流二极管串联结构；重离子轰击前，两个串联的高压快恢复整流二极管都处于正常工作状态，共同承担反向偏置电压；重离子轰击其中一个高压快恢复整流二极管时，会在被轰击器件内部形成一股大的瞬态电流脉冲，使得被轰击器件两端的电压降迅速减小，减小的电压降转移到另一个未被重离子轰击的高压快恢复整流二极管上，以保证串联结构整体偏置电压不变；当重离子在器件内部诱导的载流子在被轰击器件内部复合消失或被被轰击器件两端完全收集时，瞬态电流脉冲消失，被轰击二极管上转移的电压降又重新转移回来，串联结构恢复到正常工作状态。

7.根据权利要求6所述的应用于宇航系统中电源处理单元(PPU)的屏栅电源输出整流滤波电路，其特征在于：所述高压快恢复整流二极管D₁、D₂、D₃、D₄、D₅以及D₆分别单独替换为同规格的两个高压快恢复整流二极管串联结构。