[发明专利]碲化砷靶材及其制备方法在审
申请号: | 202010921469.4 | 申请日: | 2020-09-04 |
公开(公告)号: | CN112125670A | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 王鹏飞;曾成亮;吴彩红;文崇斌 | 申请(专利权)人: | 先导薄膜材料(广东)有限公司 |
主分类号: | C04B35/515 | 分类号: | C04B35/515;C04B35/622;C04B35/645;C23C14/34 |
代理公司: | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人: | 陈丹;张向琨 |
地址: | 511517 广东省清*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碲化砷靶材 及其 制备 方法 | ||
1.一种碲化砷靶材的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1,混合碲粉和砷粉,得到混合粉末;
步骤S2,将所述混合粉末在氮气或惰性气体氛围中进行两段式加热,冷却,制得三碲化二砷;
步骤S3,将所述三碲化二砷进行破碎筛分,得到的三碲化二砷粉末经真空热压烧结,制得碲化砷靶材;
其中,
在步骤S2中,所述两段式加热包括:
第一阶段:将所述混合粉末以5-10℃/min的升温速率加热至200-300℃,保温20-40min;以及,
第二阶段:以5-10℃/min升温速率加热至350-450℃,保温20-40min;
在步骤S3中,所述真空热压烧结的温度为300-380℃,压力为35-50MPa。
2.根据权利要求1所述的碲化砷靶材的制备方法,其特征在于,步骤S3中真空热压烧结的温度低于步骤S2中第二阶段的保温温度。
3.根据权利要求1所述的碲化砷靶材的制备方法,其特征在于,
在步骤S1中,砷粉和碲粉的质量比1:1.5-1.9。
4.根据权利要求1所述的碲化砷靶材的制备方法,其特征在于,
在步骤S1中,碲粉和砷粉的粒度为100-325目。
5.根据权利要求1所述的碲化砷靶材的制备方法,其特征在于,
在步骤S1中,碲粉和砷粉的纯度为5N。
6.根据权利要求1所述的碲化砷靶材的制备方法,其特征在于,在步骤S2中,所述惰性气体选自氦气或氩气。
7.根据权利要求1所述的碲化砷靶材的制备方法,其特征在于,
在步骤S2中,所述冷却为自然冷却,所述冷却后的温度为室温。
8.根据权利要求1所述的碲化砷靶材的制备方法,其特征在于,
在步骤S3中,三碲化二砷粉末的粒度小于100目。
9.根据权利要求1所述的碲化砷靶材的制备方法,其特征在于,制备碲化砷靶材的装置包括:
用于两段式加热的管式炉,所述混合粉末在所述管式炉中经两段式加热后随炉冷却得到所述三碲化二砷;
用于真空热压烧结的真空热压烧结炉,所述三碲化二砷置于所述真空热压烧结炉的石墨模具中经真空热压烧结后得到所述碲化砷靶材。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的碲化砷靶材的制备方法制备的碲化砷靶材。
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