[发明专利]一体式电/磁交替吸波装置及天线阵多状态互耦抑制方法

权利要求书

1.一种一体式电/磁交替吸波装置，其特征在于：包括椭圆环形金属微带结构和加载电阻组成，其中椭圆环形金属微带结构位于沿H面排列的相控贴片天线阵中间，其中心与阵列中心重合，且E面长度应等于或大于贴片尺寸，椭圆环形金属微带结构与H面排列的相控贴片天线阵印刷在介质板的同一覆铜层，介质板下层印刷覆金属背板，椭圆环形金属微带结构用以感应辐射贴片间的互耦能量；在其H面轴的两侧开设两个对称缝隙，用于焊接加载电阻；所述加载电阻焊接于椭圆环形金属微带结构的缝隙处，并与椭圆环形金属微带结构连接成闭合环路，用于衰减其上的感应电流，耗散贴片间的互耦能量。

2.根据权利要求1所述的一体式电/磁交替吸波装置，其特征在于：所述椭圆环形金属微带结构在其E面中线处开设两个对称缝隙用于焊接加载电阻，缝隙尺寸根据所选电阻封装尺寸而定。

3.根据权利要求1、2任一项所述的一体式电/磁交替吸波装置，其特征在于：所述加载电阻焊接于椭圆环形金属微带结构开设的缝隙处，并与椭圆环形金属微带结构连接成闭合环路，其阻值及功率容量应根据感应电流及天线功率容量具体确定。

4.一种利用如权利要求1-3任一项所述的一体式电/磁交替吸波装置实现H面相控贴片天线阵的多状态互耦抑制方法，其特征在于包括以下步骤：

1)在阵列非扫描工作状态下，利用贴片单元同相位的特点，通过辐射电流对吸波结构进行电感应，于其上激励寄生电流并借助加载电阻对该寄生电流能量进行吸收，从而实现非扫描状态下电吸收的阵列互耦抑制；

2)在阵列差波束工作状态下，利用贴片单元反相位的特点，通过辐射的交变磁场在椭圆环形金属微带结构上激励磁感应电流，并借助加载电阻对该磁感应电流能量进行吸收，达到差波束状态下磁吸收的阵列互耦抑制；

3)在阵列一般波束扫描工作状态下，椭圆环形金属微带结构上的感应电流分解为电场和磁场感应两种分量形式，椭圆环形金属微带结构上H面中轴两侧的电流呈现非同相特点，通过两侧加载电阻的非平衡吸收，耗散阵列互耦电磁能量，实现阵列在任意扫描状态下的互耦抑制；

4)在非扫描/差波束/一般波束扫描不同状态工作下，利用同一结构的不同吸收模式实现H面天线阵的有效互耦抑制。

5.根据权利要求4所述的一种实现H面相控贴片天线阵的多状态互耦抑制方法，其特征在于：所述椭圆环形金属微带结构距离辐射贴片的电流极值点距离最小，以提高非扫描状态时的互耦抑制效果；所述椭圆环形金属微带结构距离电场极值点距离最远，以减小该结构对阵列辐射性能的影响。