[发明专利]谐振器及其形成方法、滤波器及其形成方法

权利要求书

1.一种谐振器的形成方法，其特征在于，包括：

基于第一目标厚度形成下电极层；

测量所述下电极层的实际厚度，以得到所述下电极层的实际厚度分布，并获取所述下电极层的第一厚度偏差分布；

根据不同膜层的厚度对频率的影响，将所述下电极层的第一厚度偏差分布等频率转换为压电层的第一厚度补偿分布；

基于第二目标厚度和所述第一厚度补偿分布形成压电层；以及，

在所述压电层上形成上电极层。

2.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述下电极层的形成方法包括：

执行物理气相沉积工艺形成下电极材料层，所述下电极材料层中最大厚度和最小厚度之间具有第一差异值；以及，

基于所述第一目标厚度，对所述下电极材料层执行修整工艺，以使保留下的下电极层其最大厚度和最小厚度之间具有第二差异值，所述第二差异值小于所述第一差异值。

3.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，下电极层的厚度对频率的影响因子大于压电层的厚度对频率的影响因子。

4.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述压电层的形成方法包括：

执行物理气相沉积工艺形成压电材料层；以及，

根据所述第二目标厚度和所述第一厚度补偿分布，修整所述压电材料层，以形成所述压电层。

5.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在形成所述压电层之后，还包括：获得所述压电层的实际厚度分布；根据所述压电层的实际厚度分布和所述下电极层的实际厚度分布，并结合不同膜层的厚度对频率的影响因子，获取上电极层的第二厚度补偿分布；

以及，在形成所述上电极层时，基于第三目标厚度和所述第二厚度补偿分布形成所述上电极层。

6.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在形成所述上电极层之后，还包括：

在所述上电极层上形成钝化层，所述钝化层还从所述上电极层的一端部延伸出以形成悬空部。

7.如权利要求6所述的谐振器的形成方法，其特征在于，基于第三目标厚度形成所述上电极层，并在形成所述上电极层之后还包括：

对所述上电极层进行厚度检测，以得到所述上电极层的实际厚度分布，并获取所述上电极层的第二厚度偏差分布；根据不同膜层的厚度对频率的影响，将所述上电极层的第二厚度偏差分布等频率转换为钝化层的第三厚度补偿分布；

以及，在形成所述钝化层时，基于第四目标厚度和所述第三厚度补偿分布形成钝化层。

8.如权利要求7所述的谐振器的形成方法，其特征在于，上电极层的厚度对频率的影响因子大于钝化层的厚度对频率的影响因子。

9.一种滤波器的形成方法，所述滤波器包括至少一谐振器，其特征在于，所述滤波器的形成方法包括如权利要求1～8任一项所述的形成方法。

10.一种用权利要求1～8任一项的形成方法制造的谐振器，其特征在于，包括：

下电极层；

压电层，形成在所述下电极层上；以及，

上电极层，形成在所述压电层上。

11.一种滤波器，其特征在于，包括如权利要求10所述的谐振器。