[发明专利]一种亮白色太阳能发电幕墙及其制作方法在审
申请号: | 202010922955.8 | 申请日: | 2020-09-04 |
公开(公告)号: | CN111933733A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 张群芳;宋睿;刘祥 | 申请(专利权)人: | 安徽天柱绿色能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0216;H02S20/26;H01L31/18;E04B2/88;E04B2/92 |
代理公司: | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 | 代理人: | 王琪 |
地址: | 233000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 白色 太阳能 发电 幕墙 及其 制作方法 | ||
1.一种亮白色太阳能发电幕墙,其特征在于:包括从前至后依次叠置的超白玻璃前板、第一粘胶膜层、太阳能发电电池芯片、第二粘胶膜层、太阳能组件背板,太阳能组件背板后侧还设有光伏接线盒和用于安装的附框,所述的超白玻璃前板的前侧面为AG防眩光面,超白玻璃前板的后侧面设有镀膜,所述的镀膜膜层结构为:Sub/H/L/H/L/H/Air,其中Sub为超白玻璃前板,H为高折射率材料层,L为低折射率材料层,Air为镀膜完成后与镀膜最外侧接触的空气,所述的高折射率材料为Nb5O2、TiO2、Si3N4、ZrO2、Ta2O5中的一种,所述的低折射率材料为SiO2。
2.根据权利要求1所述的一种亮白色太阳能发电幕墙,其特征在于:所述的超白玻璃前板的厚度为2-10mm,透光率≥89%,雾度≥80%,密度为2.5*103Kg/m3,氧化铁含量≤0.015%,泊松比为0.2,杨氏弹性模量为0.72*105N/mm2,表面应力≥90MPa,且表面应力最大值与最小值之差不超过15MPa,膨胀系数为0.8*10-5-1.0*10-5/℃,所述超白玻璃前板后侧面的镀膜膜层厚度对应为:Sub/20.80nm-116.10nm/21.80nm-125.33nm/39.71nm-71.32nm/89.66nm-110.59nm/45.72nm-91.13nm/Air。
3.根据权利要求1所述的一种亮白色太阳能发电幕墙,其特征在于:所述的第一粘胶膜层和第二粘胶膜层材料为PVB或POE膜层,厚度为1-3mm。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的一种亮白色太阳能发电幕墙的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)取超白玻璃板,将超白玻璃板浮法生产过程中与锡液接触的面裸露,另一面用耐酸碱腐蚀的有机高分子塑胶薄膜进行表面覆膜保护,所述的有机高分子塑胶薄膜为PET胶带保护膜或光刻胶用掩护膜;
(2)将AG处理液使用恒温水浴加热至30℃-90℃,将步骤(1)处理后的超白玻璃板放入AG处理液中5min-45min后取出;
(3)将步骤(2)处理后的超白玻璃板用去离子水冲洗,然后将表面覆膜撕除并用超声波清洗池或洗片机进行二次清洗,清洗15min-60min后烘干备用;
(4)将步骤(3)烘干后的超白玻璃板按产品尺寸裁切后进行钢化处理,然后再用去离子水清洗并烘干;
(5)将上述步骤制得的超白玻璃板的非AG面用磁控溅射法进行真空镀膜,膜层结构为Sub/H/L/H/L/H/Air,其中磁控溅射真空度为2.0*10-2Pa,H层沉积速率为0.1nm/s-0.7nm/s,L层沉积速率为0.1nm/s-1.2nm/s,基板镀膜时在腔体内运行速率为0.1m/min-5m/min;
(6)将处理好的超白玻璃作为前板,按照:超白玻璃前板、第一粘胶膜层、太阳能发电电池芯片、第二粘胶膜层、太阳能组件背板的顺序,从前至后排列并封装层压成太阳能电池组件;
(7)在太阳能电池组件后侧安装接线盒和附框,并且在边框上打上对应的结构胶,等结构固化后即可。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽天柱绿色能源科技有限公司,未经安徽天柱绿色能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010922955.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的