[发明专利]太阳电池及生产方法、电池组件

权利要求书

1.一种太阳电池，其特征在于，包括：

N型硅基底；

第一过渡金属氧化物薄膜，位于所述N型硅基底的向光面；

金属薄膜，位于所述第一过渡金属氧化物薄膜的向光面；所述金属薄膜的材料选自：钴、钌、铑、铟中的至少一种；在所述金属薄膜的材料选自钴的情况下，所述金属薄膜的厚度为11.8nm-15nm；在所述金属薄膜的材料选自钌的情况下，所述金属薄膜的厚度为6.59nm-15nm；在所述金属薄膜的材料选自铑的情况下，所述金属薄膜的厚度为6.88nm-15nm；在所述金属薄膜的材料选自铟的情况下，所述金属薄膜的厚度为8.65nm-15nm；其中，所述金属薄膜的厚度均大于或等于对应金属的电子平均自由程；

第二过渡金属氧化物薄膜，位于所述金属薄膜的向光面；

正面电极，位于所述第二过渡金属氧化物薄膜的向光面；

背面电极，位于所述N型硅基底的背光面。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，还包括：位于所述N型硅基底的背光面的电子选择层；所述背面电极位于所述电子选择层的背光面；

所述电子选择层的材料选自：掺杂氢化非晶硅、氧化钛、氧化锌、氮化钽、氧化钽、氧化镓、氟化锂、氟化镁、氧化镁、氧化铌或碳酸铯中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的太阳电池，其特征在于，所述电子选择层的厚度为1nm-10nm。

4.根据权利要求1或2所述的太阳电池，其特征在于，所述第一过渡金属氧化物薄膜、所述第二过渡金属氧化物薄膜均选自：氧化钼薄膜、五氧化二钒薄膜、氧化钨薄膜中的至少一种；

所述第一过渡金属氧化物薄膜的厚度为10nm-20nm，所述第二过渡金属氧化物薄膜的厚度为20nm-50nm。

5.根据权利要求1或2所述的太阳电池，其特征在于，还包括：位于所述第二过渡金属氧化物薄膜的背光面的透明导电层；所述透明导电层的厚度为30um-200um。

6.根据权利要求1或2所述的太阳电池，其特征在于，还包括：位于所述N型硅基底和所述第一过渡金属氧化物薄膜之间的前钝化层；

和/或，位于所述N型硅基底的背光面的背钝化层；

所述前钝化层、所述背钝化层的材料均选自：二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝、掺杂氢化非晶硅中的一种；

所述前钝化层、所述背钝化层的厚度均为0.5nm-15nm。

7.一种太阳电池的生产方法，其特征在于，包括：

提供N型硅基底；

在所述N型硅基底上沉积第一过渡金属氧化物薄膜；

在所述第一过渡金属氧化物薄膜上沉积金属薄膜；所述金属薄膜的材料选自：钴、钌、铑、铟中的至少一种；在所述金属薄膜的材料选自钴的情况下，所述金属薄膜的厚度为11.8nm-15nm；在所述金属薄膜的材料选自钌的情况下，所述金属薄膜的厚度为6.59nm-15nm；在所述金属薄膜的材料选自铑的情况下，所述金属薄膜的厚度为6.88nm-15nm；在所述金属薄膜的材料选自铟的情况下，所述金属薄膜的厚度为8.65nm-15nm；在所述金属薄膜上沉积第二过渡金属氧化物薄膜；其中，所述金属薄膜的厚度均大于或等于对应金属的电子平均自由程；

在所述第二过渡金属氧化物薄膜上设置正面电极；

在所述N型硅基底的背光面设置背面电极。

8.根据权利要求7所述的太阳电池的生产方法，其特征在于，

所述金属薄膜采用电阻式热蒸发法或磁控溅射法获得；

所述第一过渡金属氧化物薄膜、所述第二过渡金属氧化物薄膜均采用电阻式热蒸发、电子束蒸发或磁控溅射法获得。

9.根据权利要求7或8所述的太阳电池的生产方法，其特征在于，

所述正面电极通过丝网印刷、电子束蒸发或溅射形成；

所述背面电极通过蒸发形成。

10.一种电池组件，其特征在于，包括：权利要求1至权利要求6中任一所述的太阳电池。