[发明专利]一种硅片热氧化湿氧工艺在审
| 申请号： | 202010923895.1 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN111986993A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 仝泉;周晓飞;田献立;刘丽娟 | 申请（专利权）人： | 麦斯克电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 卫煜睿 |
| 地址： | 471000 河南省洛*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 氧化 工艺 | ||
1.一种硅片热氧化湿氧工艺，其特征在于：该湿氧工艺用到的系统包括氧化炉炉管（1）、气体喷头（2）、计量泵（3）、氮气罐（4）、氧气罐（5），所述氧化炉炉管（1）的后部设有相连的气体喷头（2）和计量泵（3）；
该湿氧工艺包括以下步骤：
S1：在系统中设置PFA高纯水容器（6）；
S2：所述PFA高纯水容器（6）上设有一进气口，在进气口内设有高效过滤器，PFA高纯水容器（6）的其他地方进行密闭处理；
S3：在系统内设置所述气体喷头（2），气体喷头（2）连通在氧化炉炉管（1）的后端；
S4：在系统中设置计量泵（3），通过控制模块与系统连接来自动控制计量泵（3）启停，控制模块实时调整计量泵（3）的流量来控制湿氧过程注入纯水的量，进而控制硅片表面氧化膜的生长厚度；
S5：所述计量泵（3）将高纯水注入氧气气体连通管路，通过所述气体喷头（2）将高纯水雾化，生成氧气和水汽的混合气体，通入氧化炉炉管（1）内，并分解成氢气和氧气，与硅片发生反应，在硅片表面形成氧化膜，实现湿氧工艺。
2.根据权利要求1所述的一种硅片热氧化湿氧工艺，其特征在于：所述计量泵（3）、氮气罐（4）、氧气罐（5）与气体喷头（2）之间分别通过连通管路相连。
3.根据权利要求2所述的一种硅片热氧化湿氧工艺，其特征在于：所述连通管路上均设有控制阀（7）。
4.根据权利要求1所述的一种硅片热氧化湿氧工艺，其特征在于：所述气体喷头（2）为三通雾化喷头。
5.根据权利要求1所述的一种硅片热氧化湿氧工艺，其特征在于：所述计量泵（3）与外部的控制模块相连。
6.根据权利要求1所述的一种硅片热氧化湿氧工艺，其特征在于：所述氧化炉炉管（1）为高温石英管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
