[发明专利]一种高延展性低轮廓电解铜箔的制备方法

权利要求书

1.一种高延展性低轮廓铜箔的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）明胶粉末溶于水中，搅拌溶解获得明胶溶液；

2）对明胶溶液进行微波辐照；

3）微波辐照后的明胶溶液与硫酸铜溶液混合，使明胶分子均匀分散在硫酸铜溶液形成铜箔电解液；

4）铜箔电解液送入铜箔电解沉积系统制备所述电解铜箔；

其中，所述步骤3）所述硫酸铜溶液包含硫酸根离子、铜离子、氢质子和氯离子，氯离子的浓度为15-30 mg/L，铜离子浓度为60-110 g/L、硫酸浓度为80-120 g/L；步骤3）明胶溶液与硫酸铜溶液的混合体积比，使所得铜箔电解液中明胶浓度为0.1~10 mg/L；

所述明胶溶液中明胶的浓度为10 mg/L~500mg/L。

2.根据权利要求1所述的一种高延展性低轮廓铜箔的制备方法，其特征在于：所述步骤2）通过流量阀将明胶溶液送入一螺旋管，所述螺旋管上下方设置有微波发生器，明胶溶液流经所述螺旋管，同时开启微波发生器，通过调节明胶溶液流速和微波频率及功率控制明胶溶液经受的微波辐照强度。

3.根据权利要求2所述的一种高延展性低轮廓铜箔的制备方法，其特征在于：步骤2）所述微波发生器的微波频率为0.5 GHz~200 GHz，功率为10~1000 W；明胶溶液在螺旋管中的流速为0.5L/min~50 L/min。

4.根据权利要求1所述的一种高延展性低轮廓铜箔的制备方法，其特征在于：步骤4）制备电解铜箔的电流密度为45-65 A/dm²，温度为50-60℃。