[发明专利]用于静电防护的半导体器件

权利要求书

1.一种用于静电防护的半导体器件，包括：

在衬底上间隔设置的第一P型阱区、第一N型阱区和第二P型阱区，所述第一N型阱区上设置有第三N型区，所述第二P型阱区上设置有第二N型区，且所述第一P型阱区和第一N型阱区之间的间隔与所述第一N型阱区和第二P型阱区之间的间隔不同；

设置在所述衬底上的第一栅极结构，位于所述第一P型阱区和第一N型阱区之间；

设置在所述衬底上的第二栅极结构，位于所述第二N型区与所述第三N型区之间，

其中，所述第一N型阱区的电极电连接在阳极，所述第一P型阱区和所述第二栅极结构的电极共同通过电阻电连接在阴极，使所述半导体器件具有静电电流从所述阳极到阴极的第一泄放路径，

且所述第二P型阱区和所述第一栅极结构的电极共同电连接在阴极，使所述半导体器件具有静电电流从所述阳极到阴极的第二泄放路径。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一P型阱区上设置有第一P型区和第一N型区，所述第一P型阱区的电极由所述第一P型区和第一N型区的电极端子引出并电连接在一起。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二P型阱区上还设置有与所述第二N型区横向间隔设置的第二P型区，所述第二P型阱区的电极由所述第三N型区和第二P型区的电极端子引出并电连接在一起。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一N型阱区的电极由所述第三N型区的电极端子引出并电连接在阳极。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括：

在所述衬底上间隔设置的多个场氧区，所述多个场氧区包括：

分布在所述第一P型区和第一N型区之间的第一场氧区；

分布在所述第一N型区和第二N型区之间的第二场氧区；

分布在所述第二N型区和第三N型区之间的第三场氧区；

分布在所述第三N型区和第二P型区之间的第四场氧区。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一N型阱区上还设置有与所述第三N型区横向间隔设置的第三P型区，所述第一N型阱区的电极由所述第三N型区和第三P型区的电极端子引出并电连接在一起。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括：

在所述衬底上间隔设置的多个场氧区，所述多个场氧区包括：

分布在所述第一P型区和第一N型区之间的第一场氧区；

分布在所述第一N型区和第三N型区之间的第二场氧区；

分布在所述第三N型区和第三P型区之间的第三场氧区；

分布在所述第三P型区和第二N型区之间的第四场氧区；

分布在所述第二N型区和第二P型区之间的第五场氧区。

8.根据权利要求5或7所述的半导体器件，其中，所述第一栅极结构包括在所述衬底上依次叠置的栅氧化层和多晶硅层，

并且，位于所述第一栅极结构中的栅氧化层横向延伸覆盖在所述第二场氧区表面与之相接触的区域。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二栅极结构包括在所述衬底上依次叠置的栅氧化层和多晶硅层，

并且，位于所述第二栅极结构中的栅氧化层横向延伸覆盖在所述第三场氧区表面与之相接触的区域。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二栅极结构包括在所述衬底上依次叠置的栅氧化层和多晶硅层，

并且，位于所述第二栅极结构中的栅氧化层横向延伸覆盖在所述第四场氧区表面与之相接触的区域。