[发明专利]一种集成热敏电阻的红外热电堆传感器及制备方法

权利要求书

1.一种集成热敏电阻的红外热电堆传感器，其特征在于：包括由不少于一个热电偶串联组成的热电堆区(7)以及集成在热电堆区(7)上的热敏电阻(8)，热电偶包括支撑层(9)，所述支撑层(9)上设有复合薄膜，复合薄膜包括氮化硅层一(1)和氧化硅层一(2)，在复合薄膜上设有第一热偶层(3)，所述第一热偶层(3)上设有氧化硅层二(10)，所述氧化硅层二(10)上设有第二热偶层(4)，所述第二热偶层(4)上设有氮化硅层二(5)，所述支撑层(9)下端设有背腔(11)。

2.根据权利要求1所述的一种集成热敏电阻的红外热电堆传感器，其特征在于：所述氧化硅层二(10)上开有通孔(6)，所述第一热偶层(3)和第二热偶层(4)通过通孔(6)连接。

3.根据权利要求1所述的一种集成热敏电阻的红外热电堆传感器，其特征在于：所述第一热偶层(3)为多晶硅层，所述第二热偶层(4)为铂层。

4.一种集成热敏电阻的红外热电堆传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一：在支撑层上通过低温化学气相沉积工艺沉积由氮化硅层一和氧化硅层一组成的复合薄膜，厚度为1000nm-2000nm，并在背面刻蚀后，薄膜不破，做到有效的制程；

步骤二：在复合薄膜上低温化学气相沉积工艺沉积多晶硅层作为第一热偶层，厚度为500nm；

步骤三：在第一热偶层中注入硼或磷离子实现多晶硅的掺杂，并高温退火；

步骤四：在第一热偶层上常温化学气相沉积一层氧化硅层二作为绝缘层，且厚度为200nm；

步骤五：在氧化硅层二上通过蒸发或溅射一层铂层作为第二热偶层，并图形化，在其他区域将热敏电阻图形同时实现，焊盘区域图形也一并做出来；

步骤六：通过化学气相沉淀工艺在第二热偶层上沉淀一层氮化硅层二，并把焊盘区域打开；

步骤七：背面减薄，然后通过深硅刻蚀，把背腔刻蚀出来。