[发明专利]一种WB2

权利要求书

1.一种WB₂/WBC多层硬质涂层，包括与基体接触的WB₂压应力膜层和在所述WB₂压应力膜层表面依次交替层叠的WB₂亚层和WBC亚层；与所述WB₂压应力膜层相接触的为WB₂亚层；所述WB₂/WBC多层硬质涂层的最外层为WBC亚层；

每层WB₂亚层中独立地含有AlB₂型WB₂，或者含有WB₂(C)固溶体和AlB₂型WB₂；

每层WBC亚层中独立地含有α-WBC、α-WC和α-C。

2.根据权利要求1所述的WB₂/WBC多层硬质涂层，其特征在于，每层WB₂亚层中C的含量独立为0～20at.％；每层WBC亚层中C的含量独立为30～85at.％。

3.根据权利要求1所述的WB₂/WBC多层硬质涂层，其特征在于，所述WB₂压应力膜层的厚度为100～300nm。

4.根据权利要求1所述的WB₂/WBC多层硬质涂层，其特征在于，各所述WB₂亚层和各所述WBC亚层的厚度独立为10～1000nm。

5.根据权利要求4所述的WB₂/WBC多层硬质涂层，其特征在于，所述WB₂/WBC多层硬质涂层的厚度为1.0～10μm。

6.权利要求1～5任一项所述WB₂/WBC多层硬质涂层的制备方法，包括以下步骤：

采用磁控溅射的方法在基体表面沉积WB₂压应力膜层；

在所述WB₂压应力膜层表面交替沉积WB₂亚层和WBC亚层；WB₂亚层与WB₂压应力膜层相接触；所述WB₂/WBC多层硬质涂层的最外层为WBC亚层，得到WB₂/WBC多层硬质涂层；

各沉积过程采用的靶材均为WB₂靶材。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，沉积所述WB₂压应力膜层的条件包括：靶基距50～150mm，靶电流0.4～2.0A，工作气体为Ar，Ar压强为0.2～0.5Pa，基体脉冲偏压为-150～-200V，占空比为20～60％，沉积温度为100～500℃。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，沉积每层WBC亚层的条件包括：靶基距独立为50～150mm，靶电流独立为0.4～2.0A，工作气体为Ar和C₂H₂，总工作压强独立为0.3～1.0Pa，C₂H₂分压独立为0.01～0.1Pa，基体脉冲偏压独立为0～-100V，占空比独立为20～60％，沉积温度独立为100～500℃。