[发明专利]彩色宝石光刻纳米微雕显示体与其制造方法及首饰

权利要求书

1.一种彩色宝石光刻纳米微雕显示体，其特征在于：所述彩色宝石光刻纳米微雕显示体包括有平凸透镜，该平凸透镜的底部平面贴设有一半导体芯片，该半导体芯片上设置有多彩色图案；所述平凸透镜背离所述半导体芯片的一端形成有一凸起弧面，该凸起弧面电镀形成有炫彩的膜层。

2.如权利要求1所述彩色宝石光刻纳米微雕显示体，其特征在于：所述多彩色图案为通过直写式光刻机进行光刻套刻而形成在半导体芯片上的多彩色图案。

3.如权利要求2所述彩色宝石光刻纳米微雕显示体，其特征在于：所述多彩色图案采用如下步骤制备：

S21、将多彩色图案按颜色分解为多层子图案，每层子图案对应一种颜色；

S22、在半导体芯片的表面上均匀涂覆光刻胶，利用直写式光刻机对光刻胶进行光刻处理，形成与第一层子图案对应的光刻掩模图形；

S23、利用真空镀膜工艺在具有光刻掩模图形的表面沉积颜色与第一层子图案的颜色对应的膜层；

S24、清除光刻胶及沉积于其上的膜层，完成第一层子图案的光刻；

S25、再次在半导体芯片的表面上均匀涂覆光刻胶，利用直写式光刻机对光刻胶进行对位套刻处理，形成与第二层子图案对应的光刻掩模图形；

S26、利用真空镀膜工艺在具有光刻掩模图形的表面沉积颜色与第二层子图案的颜色对应的膜层；

S27、清除光刻胶及沉积于其上的膜层，完成第二层子图案的光刻；

S28、重复步骤S5～S7，直至完成所有层的子图案的光刻。

4.如权利要求2所述彩色宝石光刻纳米微雕显示体，其特征在于：所述多彩色图案包括图形和/或文字，所述多彩色图案包括有3～5种颜色。

5.如权利要求1所述彩色宝石光刻纳米微雕显示体，其特征在于：所述半导体芯片的表面形成有一层保护膜，该保护膜包覆所述多彩色图案。

6.如权利要求1所述彩色宝石光刻纳米微雕显示体，其特征在于：所述平凸透镜为圆柱体结构，其高度为5.0mm，横截面直径为4.0mm，其中，所述凸起弧面的高度为1.0mm。

7.如权利要求1所述彩色宝石光刻纳米微雕显示体，其特征在于：所述平凸透镜的材质为人工合成蓝宝石，其折射率高于2.5。

8.一种彩色宝石光刻纳米微雕显示体的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：

S10、制备平凸透镜，该平凸透镜的一端形成有一凸起弧面，在凸起弧面电镀上一炫彩的膜层；

S20、在半导体芯片的表面利用直写式光刻机进行光刻套刻，形成多彩色图案；

S30、将具有多彩色图案的半导体芯片粘贴在平凸透镜的底部平面，该底部平面位于平凸透镜背离所述凸起弧面的一端。

9.如权利要求8所述的彩色宝石光刻纳米微雕显示体的制造方法，其特征在于，所述步骤S20进一步包括：

S21、将多彩色图案按颜色分解为多层子图案，每层子图案对应一种颜色；

S22、在半导体芯片的表面上均匀涂覆光刻胶，利用直写式光刻机对光刻胶进行光刻处理，形成与第一层子图案对应的光刻掩模图形；

S23、利用真空镀膜工艺在具有光刻掩模图形的表面沉积颜色与第一层子图案的颜色对应的膜层；

S24、清除光刻胶及沉积于其上的膜层，完成第一层子图案的光刻；

S25、再次在半导体芯片的表面上均匀涂覆光刻胶，利用直写式光刻机对光刻胶进行对位套刻处理，形成与第二层子图案对应的光刻掩模图形；

S26、利用真空镀膜工艺在具有光刻掩模图形的表面沉积颜色与第二层子图案的颜色对应的膜层；

S27、清除光刻胶及沉积于其上的膜层，完成第二层子图案的光刻；

S28、重复步骤S5～S7，直至完成所有层的子图案的光刻。

10.一种首饰，其特征在于：所述首饰包括有如权利要求1～7任一项所述的彩色宝石光刻纳米微雕显示体，或者，所述首饰包括有采用如权利要求8-9任一项所述彩色宝石光刻纳米微雕显示体的制造方法制备的彩色宝石光刻纳米微雕显示体。