[发明专利]一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺在审
| 申请号： | 202010929485.8 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN112045874A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 代刚;赵富军;张超 | 申请（专利权）人： | 成都青洋电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/00 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 611200 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 半导体 单晶硅 片多线 切割 工艺 | ||
1.一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，其特征在于，使用多根52线（1）对单晶硅棒（2）进行切片，所述多根52线（1）的进给速度V1为0.35~1.00mm/min，所述多根52线（1）的切割速度V2为1300~1400m/min，所述单晶硅棒（2）的直径为3~5寸，所述多根52线（1）出线端拉力N1为8牛，所述多根52线（1）的收线端拉力N2为8~8.5牛，所述多根52线（1）的切割温度为19~21℃。
2.根据权利要求1所述的一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，其特征在于，所述多根52线（1）的进给速度V1为0.35mm/min。
3.根据权利要求1所述的一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，其特征在于，使用多根52线（1）对单晶硅棒（2）进行切割时，向多根52线（1）上滴加切割液。
4.根据权利要求1所述的一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，其特征在于，所述多根52线（1）的收线端拉力N2为8牛。
5.根据权利要求1所述的一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，其特征在于，所述多根52线（1）的切割温度为19℃。
6.根据权利要求1所述的一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，其特征在于，所述多根52线（1）的进给速度V1为0.35/min，所述多根52线（1）的切割速度V2为1300/min。
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