[发明专利]芯片封装结构及其制作方法有效
申请号: | 202010930489.8 | 申请日: | 2020-09-07 |
公开(公告)号: | CN112117250B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 霍炎;涂旭峰 | 申请(专利权)人: | 矽磐微电子(重庆)有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 张相钦 |
地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种芯片封装结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供第一载板与放置于所述第一载板的至少一组待处理件,每组所述待处理件包括:预制导电框架与裸片,所述预制导电框架包括基部与多个脚部,所述基部包括多个子基部,一个所述子基部与一个所述脚部通过一个连接部连接;所述基部与所述脚部放置于所述第一载板上;所述裸片包括若干焊盘,所述焊盘位于所述裸片的正面;所述裸片固定于所述预制导电框架的基部上,所述裸片的背面朝向所述基部;
提供第二载板,所述第二载板平行于所述第一载板放置;抽真空以吸附所述待处理件,使所述预制导电框架的脚部朝向所述第二载板运动直至贴附于所述第二载板,所述脚部运动引起所述连接部变形;所述预制导电框架形成导电框架,所述待处理件形成待封装件;
在所述第二载板的表面形成包埋所述待封装件的第一塑封层;减薄所述第一塑封层,直至露所述导电框架的基部;
去除所述第二载板,暴露所述导电框架的脚部;在所述第一塑封层内形成第一开口,以暴露所述焊盘;在所述脚部、所述焊盘以及所述第一塑封层的背面上形成再布线层,以电连接所述焊盘与对应脚部;
在所述第一塑封层以及所述再布线层上形成第二塑封层;
在所述导电框架的基部形成隔离槽,所述隔离槽将所述基部隔断为多个彼此分离的子基部,在所述隔离槽内填入绝缘材料形成绝缘层;在所述第一塑封层内形成第二开口,以暴露所述导电框架的脚部;在所述导电框架的脚部与所述第一塑封层的正面上形成多个引脚,一个所述引脚连接一个所述脚部;
切割形成芯片封装结构,每个所述芯片封装结构中包含一组所述待封装件。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述待处理件中,所述裸片的正面覆盖有有机保护层;真空吸附所述待处理件步骤中,所述第二载板贴附于所述有机保护层;去除所述第二载板步骤中,还暴露所述有机保护层;在所述第一塑封层内形成第一开口替换为:在所述有机保护层内形成第一开口,以暴露所述焊盘;所述再布线层还形成在所述有机保护层上。
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,放置于所述第一载板的所述待处理件具有多组,所述再布线层电连接组内的所述焊盘与对应脚部。
4.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,通过机械加工法、和/或化学腐蚀法形成所述预制导电框架。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,形成所述引脚后,还包括:在所述引脚上形成抗氧化层。
6.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,减薄所述第一塑封层,直至露所述导电框架的基部的步骤在形成所述第二塑封层步骤后,形成所述隔离槽步骤前进行。
7.一种芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装结构采用权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法制备得到;所述芯片封装结构包括:
导电框架,包括基部与多个脚部,所述基部包括多个彼此绝缘的子基部,一个所述子基部与一个所述脚部通过一个连接部连接;在所述导电框架的厚度方向上,所述连接部与所述子基部的连接端与所述连接部与所述脚部的连接端之间具有高度差;
裸片,包括若干焊盘,所述焊盘位于所述裸片的正面;所述裸片设置在所述导电框架的基部上,所述裸片的背面朝向所述基部;
第一塑封层,包覆所述裸片与所述导电框架,所述第一塑封层的正面暴露所述导电框架的基部与脚部,所述第一塑封层的背面暴露所述裸片的焊盘与所述导电框架的脚部;
再布线层,位于所述脚部、所述焊盘以及所述第一塑封层的背面上,所述再布线层用于电连接所述焊盘与对应脚部;
第二塑封层,包覆所述再布线层;
多个引脚,位于所述导电框架的脚部与所述第一塑封层的正面上,一个所述引脚连接一个所述脚部。
8.根据权利要求7所述的芯片封装结构,其特征在于,所述导电框架为一体结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽磐微电子(重庆)有限公司,未经矽磐微电子(重庆)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010930489.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种漆水分离装置
- 下一篇:芯片封装结构及其制作方法