[发明专利]芯片封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

芯片，包括背电极与若干焊盘，所述背电极位于所述芯片的背面，所述背电极为漏极，所述焊盘位于所述芯片的正面，至少一个焊盘为源极，一个焊盘为栅极；

引脚框架，包括第一引脚与第二引脚，所述第一引脚与所述焊盘直接连接；所述第二引脚包括引脚部与连接部，位于所述芯片的一侧；

塑封层，包覆所述芯片与所述引脚框架，所述塑封层的正面暴露所述芯片的背电极与所述第二引脚的连接部的顶端；所述塑封层的背面暴露所述引脚框架的所述第一引脚与所述第二引脚的引脚部；

金属片，位于所述芯片的背电极、所述第二引脚的连接部的顶端以及所述塑封层的正面上，用于将所述第二引脚与所述芯片的背电极电连接。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二引脚为一体结构。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二引脚的引脚部的厚度与所述第一引脚的厚度一致。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述金属片采用导电胶固定于所述芯片的背电极、所述第二引脚的连接部的顶端以及所述塑封层的正面。

5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电胶包括纳米铜/导电聚合物复合材料。

6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述纳米铜/导电聚合物复合材料中，所述导电聚合物为：聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚苯硫醚中的至少一种，和/或所述纳米铜的粒径小于800nm。

7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，位于所述塑封层正面的所述金属片上覆盖有第一抗氧化层；和/或暴露于所述塑封层背面的所述第二引脚的引脚部，和/或所述第一引脚上覆盖有第二抗氧化层。

8.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片为MOSFET芯片或IGBT芯片。

9.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供载板与承载于所述载板的至少一组待封装件，每组所述待封装件包括：芯片与引脚框架，所述引脚框架固定于所述载板；所述芯片包括背电极与若干焊盘，所述背电极位于所述芯片的背面，所述背电极为漏极，所述焊盘位于所述芯片的正面，至少一个焊盘为源极，一个焊盘为栅极；所述引脚框架包括第一引脚与第二引脚，所述第一引脚与所述焊盘直接连接；所述第二引脚包括引脚部与连接部，位于所述芯片的一侧；

在所述载板的表面形成包埋所述芯片与所述引脚框架的塑封层；减薄所述塑封层，直至露出所述芯片的背电极与所述第二引脚的连接部的顶端；

在所述芯片的背电极、所述第二引脚的连接部的顶端以及所述塑封层的正面上形成金属片，以将所述第二引脚与所述芯片的背电极电连接；

去除所述载板，暴露所述引脚框架的所述第一引脚与所述第二引脚的引脚部；

切割形成芯片封装结构，每个所述芯片封装结构中包含一组所述待封装件。

10.根据权利要求9所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述第二引脚为一体结构。

11.根据权利要求10所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，通过弯折法形成所述第二引脚。

12.根据权利要求9所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，形成所述金属片步骤中，采用导电胶将所述金属片固定于所述芯片的背电极、所述第二引脚的连接部的顶端以及所述塑封层的正面。

13.根据权利要求9所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，形成所述金属片后，所述制作方法还包括：在所述金属片上形成第一抗氧化层；和/或去除所述载板后，所述制作方法还包括：在所述第二引脚的引脚部，和/或所述第一引脚上形成第二抗氧化层。