[发明专利]一种降低太阳能电池片划片效率损失的方法在审
申请号: | 202010930751.9 | 申请日: | 2020-09-07 |
公开(公告)号: | CN112071955A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 张登科;杨立友;贾慧君;杨文豹 | 申请(专利权)人: | 晋能光伏技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042 |
代理公司: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 王攀 |
地址: | 030600 山西省晋中市山西综改*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 太阳能电池 划片 效率 损失 方法 | ||
本发明公开了一种降低太阳能电池片划片效率损失的方法,包括以下步骤,(1)取太阳能电池片进行激光划片,并且在划片前测试太阳能电池片的效率;(2)在太阳能电池片划片后的断裂面上均匀喷涂0.01‑0.4mol/L的碘酒溶液,每个断裂面喷涂时间为0.4‑0.6s;(3)测试经过步骤(2)处理的划片后太阳能电池片的效率,并计算效率损失。本发明通过在划片断裂面喷涂碘酒溶液,能够有效减少划片后效率损失,提高生产效率。
技术领域
本发明涉及光伏组件技术领域,更具体的说是涉及一种降低太阳能电池片划片效率损失的方法。
背景技术
近年来,光伏组件技术路线百家争鸣,新产品日新月异,包括不同166、182、210尺寸硅片以及半片、叠瓦、叠焊等技术,使得度电成本大幅下跌,极大的推进了平价上网的进度。但是由于技术发展已处于较为成熟的时期,组件端辅材基本没有下降空间,因此各组件厂大都是通过提高效率进而达到降低成本的目的,提高效率主要是通过大硅片或者提高单位面积内的功率密度来实现的。按照当前的发展趋势硅片尺寸将最终确定在182和210之间,并且行业内都是不同硅片尺寸叠加不同技术路线,当硅片尺寸最终定型后,技术路线的选择则至关重要。
从行业组件端主流技术路线来看,半片、叠瓦、叠焊等技术都离不开激光划片技术,因此激光划片已成为光伏组件的基础技术和关键技术,激光划片技术是利用高能激光束照射在电池片表面,使被照射区域局部熔化、气化、从而达到划片的目的。在划片过程中激光600℃以上的高温以及电池片掰开后均会导致PN结被破坏,从而使得断裂面复合变大,在开路状态下导致Voc和FF等严重下降,因此激光划片后电池片效率损失严重,研究激光划片机理以及激光划片后效率损失对组件封装有着极其重要的意义。
具体的,电池片划片后效率损失来源主要包括电池片机械掰开产生的裂纹、划片后Al和Cu等金属物粘附在断裂面上影响复合、断裂面PN结破坏导致复合增大等三个方面;其中断裂面PN结破坏导致复合变大是影响效率损失的主要原因,因此改善划片后断裂面的钝化效果是降低效率损失的重要手段。目前在光伏半导体领域,都是通过HNO3,HF,过LID,电注入,热氧等工艺增加钝化效果,考虑到组件端的实际操作以及经济实用性情况,电池端常规的钝化方法在组件端都不适用,并且目前光伏行业内大多数组件厂都没有研究过电池片划片后的效率损失,包括焊接机厂家、激光划片机厂家都没有明确划片后的效率损失。
因此,如何提供一种降低太阳能电池片划片效率损失的方法是本领域技术人员亟需解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种降低太阳能电池片划片效率损失的方法,通过在划片断裂面喷涂碘酒溶液,能够有效减少划片后效率损失。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种降低太阳能电池片划片效率损失的方法,包括以下步骤,
(1)取太阳能电池片进行激光划片,并且在划片前测试太阳能电池片的效率;
(2)在太阳能电池片划片后的断裂面上均匀喷涂0.01-0.4mol/L的碘酒溶液,每个断裂面喷涂时间为0.4-0.6s;
(3)测试经过步骤(2)处理的划片后太阳能电池片的效率,并计算效率损失。
本发明通过多次试验验证碘酒对太阳能电池片划片后的断裂面具有良好的钝化效果。碘酒的主要成分是碘化钾和乙醇,具有很强的氧化性,可提高单晶硅体的有效寿命,能够很好的复合掉硅体表面的复合中心,从而减少太阳能电池片划片后的效率损失。
优选的,在上述一种降低太阳能电池片划片效率损失的方法中,步骤(2)中所述碘酒溶液的浓度为0.01-0.22mol/L。
上述技术方案的有益效果是:采用上述浓度的碘酒溶液可以使划片效率损失控制在0.09%以内,有效改善目前行业内划片损失在0.15-0.20%左右的现状。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晋能光伏技术有限责任公司,未经晋能光伏技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010930751.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电源适配器的变压器磁芯上料装置
- 下一篇:5G网络安全防护方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的