[发明专利]一种浸水防触电漏电保护器

权利要求书

1.一种浸水防触电漏电保护器，其特征在于，所述漏电保护器包括220V交流电输入端子J1、220V交流电输出端子J2、电流互感器PL1、电流过零检测比较器电路、漏电信号分析电路以及第一电源通断控制电路，所述220V交流电输入端子和220V交流电输出端子通过火线和零线连接，所述220V交流电输出端子用于连接负载电路，所述火线和零线穿过所述电流互感器PL1的中心孔，所述电流过零检测比较器电流包括双运算放大器U2，所述电流互感器PL1的检测线圈连接双运算放大器U2的输入端，所述漏电信号分析电路包括单片机U1，所述双运算放大器的输出端连接单片机U1，所述第一电源通断控制电路包括光耦U3、继电器K1和继电器K2，所述单片机U1通过光耦U3连接所述继电器K1和继电器K2的工作线圈，所述继电器K1和继电器K2的常开触点分别串联连接在所述零线和火线上。

2.根据权利要求1所述的一种浸水防触电漏电保护器，其特征在于，所述单片机U1的型号为STC12C5608AD，所述双运算放大器U2的型号为LM358。

3.根据权利要求2所述的一种浸水防触电漏电保护器，其特征在于，所述电流互感器PL1的检测线圈的一端通过端子J3的J3_6口连接双运算放大器U2的同相输入端引脚3和反相输入端引脚6，电流互感器PL1的检测线圈的另一端通过端子J3的J3_5口连接双运算放大器U2的反相输入端引脚2和同相输入端引脚5，所述双运算放大器U2的输出端引脚1和引脚7连接单片机U1的P1.7端口和P3.7端口，所述单片机U1的P1.0端口通过端子J3的J3_7口连接光耦U3的输入端，光耦U3的输出端通过三极管Q2的集电极依次连接继电器K1的工作线圈和继电器K2的工作线圈并连接至供电端V+，继电器K1的常开触点和继电器K2的常开触点分别串接在零线和火线上，所述220V交流电输入端子J1的火线和零线之间连接有全波整流器U7，所述供电端V+连接全波整流器的V+端，所述全波整流器U7的V+端和V-端之间连接有稳压二极管D2和滤波电容C3，所述全波整流器U7的V-端接地。

4.根据权利要求2所述的一种浸水防触电漏电保护器，其特征在于，所述漏电保护器还包括零火线短路限流无弧保护电路，所述零火线短路限流无弧保护电路包括负载短路及过流检测电路和第二电源通断控制电路，所述负载短路及过流检测电路包括二极管D3和D6，二极管D3的正极连接火线输入端，二极管D6的正极连接火线输出端，二极管D3和D6的负极均经端子J3的J3_15口连接至单片机U1的P3.2端口，所述第二电源通断控制电路包括多组并联连接在火线输入端和火线输出端之间的MOS场效应管组，每组MOS场效应管组包括两个串接的MOS场效应管，多个MOS场效应管的栅极G均连接至单片机U1。

5.根据权利要求4所述的一种浸水防触电漏电保护器，其特征在于，所述第二电源通断控制电路包括4个MOS场效应管Q1、Q6、Q3和Q10，MOS场效应管Q1的漏极S和Q6的漏极S串接，MOS场效应管Q3的漏极S和Q10的漏极S串接，两组并联的MOS场效应管组一端通过Q1和Q3的源极D连接火线输入端，另一端通过Q6和Q10的源极D串接继电器K2的常开触点后连接至火线输出端，所述单片机U1的P3.3端口经端子J3的J3_17口连接三极管Q7和Q8的基极，单片机U1的P3.3端口用于触发MOS管导通为负载输出供电，所述三极管Q7的集电极连接MOS场效应管Q1和Q6的栅极G，所述三极管Q8的集电极连接MOS场效应管Q3和Q10的栅极G，所述MOS场效应管Q1、Q6、Q3和Q10的栅极G分别连接三极管Q5和三极管Q9并经端子J3的J3_18口和J3_19口分别连接至单片机U1的P3.4端口和P3.5端口，单片机U1的P3.4端口和P3.5端口分别用于在交流过零时进行MOS场效应管Q1、Q6、Q3和Q10的开启和关闭驱动信号控制。