[发明专利]存储器控制器及其操作方法在审

专利信息
申请号: 202010931246.6 申请日: 2020-09-07
公开(公告)号: CN113377687A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 金基荣 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F11/10;G11C16/34;G11C29/44
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 赵赫;赵永莉
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 控制器 及其 操作方法
【说明书】:

本申请涉及一种电子装置。存储器控制器控制存储器装置,使得该存储器装置的寿命增加。控制存储器装置的存储器控制器包括:闪存转换层,被配置成基于从存储器装置接收的装置信息来生成装置健康描述符;以及坏块控制器,被配置成基于从存储器装置接收的坏块信息来生成坏块表,并且基于装置健康描述符来生成回收信息,该回收信息用于回收坏块表中记录的坏块中的页面。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年3月9日提交的申请号为10-2020-0029236的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及一种电子装置,且更特别地,涉及一种存储器控制器及其操作方法。

背景技术

存储装置在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制下存储数据。存储装置可以是在诸如硬盘驱动器(HDD)的磁盘中存储数据的类型,或者是在诸如固态驱动器(SSD)或存储卡的、特别是非易失性存储器的半导体存储器中存储数据的类型。

存储装置可包括存储数据的存储器装置,以及将数据存储在存储器装置中的存储器控制器。存储器装置可以是易失性存储器或非易失性存储器。非易失性存储器的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。

发明内容

本公开的实施例提供了一种存储器控制器及其操作方法,该存储器控制器控制存储器装置以根据装置描述符中包括的信息来回收坏块,以便增加存储器装置的寿命。

根据本公开的实施例的存储器控制器控制存储器装置。该存储器控制器可包括:闪存转换层,被配置成基于从存储器装置接收的装置信息来生成装置健康描述符;以及坏块控制器,被配置成基于从存储器装置接收的坏块信息来生成坏块表,并且基于装置健康描述符来生成用于回收坏块表中记录的坏块中的页面的回收信息。

根据本公开的实施例的操作存储器控制器的方法是操作控制存储器装置的存储器控制器的方法。该方法可包括:从存储器装置接收装置信息;基于装置信息生成装置健康描述符;以及基于装置健康描述符确定是否回收存储器装置中的坏块中的页面。

根据本公开的实施例的操作存储器控制器的方法是操作存储器控制器的方法。该方法可包括:从存储器装置接收第一和第二信息项;根据第一信息项控制存储器装置以对基于第二信息项选择的坏块内的有效页面执行操作,其中第一信息项指示关于存储器装置的剩余寿命的等级,并且其中第二信息项指示存储器装置内的每个坏块中的一个或多个有效页面。

根据本发明的实施例,可通过回收坏块来延长存储器装置的寿命。

附图说明

图1是示出存储装置的框图。

图2是示出诸如图1的存储器装置的结构的示图。

图3是示出诸如图2的存储器单元阵列的实施例的示图。

图4是示出诸如图1的存储器控制器的配置的示图。

图5是用于描述从诸如图1的闪存转换层输出的装置健康描述符的示图。

图6是示出诸如图2的存储器单元阵列的实施例的示图。

图7是示出在编程操作期间生成的坏块以及保留块的示图。

图8是示出在垃圾收集操作期间生成的坏块以及保留块的示图。

图9是示出在擦除操作期间生成的坏块的示图。

图10A至图10C是用于描述基于保留块的数量来确定的存储器装置的寿命的示图。

图11是示出坏块表的示图。

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