[发明专利]适用流水线型ADC的参考电平缓冲器及流水线型ADC有效

专利信息
申请号: 202010931600.5 申请日: 2020-09-08
公开(公告)号: CN111817719B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 沈玉鹏;陈旭斌;李国儒;李绪成;周苏萍 申请(专利权)人: 杭州城芯科技有限公司
主分类号: H03M1/34 分类号: H03M1/34;H03M1/12
代理公司: 北京格允知识产权代理有限公司 11609 代理人: 张莉瑜
地址: 310000 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 适用 流水 线型 adc 参考 电平 缓冲器
【权利要求书】:

1.一种适用流水线型ADC的参考电平缓冲器,其特征在于,包括:参考生成电路、MDAC缓冲器电路和子ADC缓冲器电路;其中,

所述参考生成电路、MDAC缓冲器电路和子ADC缓冲器电路的输出级均采用自举源跟随器结构,自举源跟随器结构中,源跟随管与电源之间串联有共栅管;

所述MDAC缓冲器电路、所述子ADC缓冲器电路与所述参考生成电路连接,分别用于提供流水级中MDAC、子ADC所需的参考电平,且所述MDAC缓冲器电路的输出级之间设有失配补偿电阻,失配补偿电阻与所述子ADC缓冲器电路的输出级之间所连接的子ADC参考电平网络等效电阻相匹配;

所述参考生成电路包括第一负反馈放大器输入差分管MN1、第二负反馈放大器输入差分管MN2、第一负反馈放大器负载管MP1、第二负反馈放大器负载管MP2、第一负反馈放大器共模反馈管MP3、第二负反馈放大器共模反馈管MP4、第一参考输出支路源随管MNs1、第二参考输出支路源随管MNs2、第一共栅管MNa1、第二共栅管MNa2、第一电阻R1至第四电阻R4、共模反馈放大器amp和2个共模反馈电阻Rcmfb

其中,第一负反馈放大器输入差分管MN1、第二负反馈放大器输入差分管MN2为NMOS管,第一负反馈放大器负载管MP1、第二负反馈放大器负载管MP2、第一负反馈放大器共模反馈管MP3、第二负反馈放大器共模反馈管MP4为PMOS管,第一参考输出支路源随管MNs1、第二参考输出支路源随管MNs2为自举源跟随器结构中的源跟随管,采用NMOS管且衬底接源极,第一共栅管MNa1、第二共栅管MNa2为自举源跟随器结构中的共栅管,采用Native NMOS管;

第一负反馈放大器负载管MP1、第二负反馈放大器负载管MP2、第一负反馈放大器共模反馈管MP3、第二负反馈放大器共模反馈管MP4的源极均连接电源vdd,第一负反馈放大器负载管MP1、第一负反馈放大器共模反馈管MP3的漏极连接至第一负反馈放大器输入差分管MN1的漏极,第二负反馈放大器负载管MP2、第二负反馈放大器共模反馈管MP4的漏极连接至第二负反馈放大器输入差分管MN2的漏极,第一负反馈放大器负载管MP1、第二负反馈放大器负载管MP2的栅极相连接,第一负反馈放大器共模反馈管MP3、第二负反馈放大器共模反馈管MP4的栅极连接共模反馈电平Vcmfb,第一负反馈放大器输入差分管MN1、第二负反馈放大器输入差分管MN2的源极均接至负反馈放大器尾电流Ib,第一负反馈放大器输入差分管MN1的栅极通过第一电阻R1接地vss,第二负反馈放大器输入差分管MN2的栅极通过第二电阻R2连接带隙基准给出的参考电平Vref

第一共栅管MNa1、第二共栅管MNa2的漏极均连接电源vdd,第一共栅管MNa1的源极连接第一参考输出支路源随管MNs1的漏极,第一共栅管MNa1、第一参考输出支路源随管MNs1的栅极均连接第一负反馈放大器负载管MP1的漏极,第二共栅管MNa2的源极连接第二参考输出支路源随管MNs2的漏极,第二共栅管MNa2、第二参考输出支路源随管MNs2的栅极均连接第二负反馈放大器负载管MP2的漏极;

第一参考输出支路源随管MNs1的源极接至参考输出支路的N偏置电流In_ref,第二参考输出支路源随管MNs2的源极接至参考输出支路的P偏置电流Ip_ref;第三电阻R3设于第一负反馈放大器输入差分管MN1的栅极与第二参考输出支路源随管MNs2的源极之间,第四电阻R4设于第二负反馈放大器输入差分管MN2的栅极与第一参考输出支路源随管MNs1的源极之间,2个共模反馈电阻Rcmfb串联后设于第一参考输出支路源随管MNs1的源极与第二参考输出支路源随管MNs2的源极之间,共模反馈放大器amp的正输入端连接参考电平的参考共模电平Vcm,负输入端连接于2个共模反馈电阻Rcmfb之间的节点,输出端输出共模反馈电平Vcmfb

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