[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 202010932383.1 | 申请日: | 2020-09-08 |
公开(公告)号: | CN112018161B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 任怀森;杨柯;侯鹏;李岢恒;王林林;熊登申;黄川 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;G06F3/041;G06V40/13 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 王迪 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,用以减少纹路识别光线传播路径,提高纹路识别准确率和效率。阵列基板包括:衬底;阵列基板具有:显示区,以及周边区;显示区包括:在衬底之上的第一薄膜晶体管,在衬底之上与第一薄膜晶体管电连接的第一连接引线,位于第一薄膜晶体管之上的封装层,位于封装层之上的光敏器件,以及位于封装层之上的与光敏器件电连接的第二连接引线;第一连接引线,第二连接引线,以及封装层均延伸到周边区;周边区包括:位于第一连接引线和封装层之间的挡墙;封装层覆盖挡墙,且封装层在挡墙背离第一薄膜晶体管的一侧具有暴露第一连接引线的第一过孔,第二连接引线通过第一过孔与第一连接引线电连接。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光显示装置不仅应用领域多样化,而且部分产品逐渐向多功能化发展,例如具有指纹识别功能的显示产品。目前光学指纹识别成为显示产品指纹识别最重要的实现手段之一。但是现有技术的显示产品,光学指纹识别模块与屏幕表面距离较远,光线传播路径较长,影响指纹图像的清晰度,影响指纹识别准确度。
发明内容
本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,用以减少纹路识别光线传播路径,提高纹路识别准确率和效率。
本申请实施例提供的一种阵列基板,所述阵列基板包括:衬底;所述阵列基板具有:显示区,以及位于所述显示区之外的周边区;
所述显示区包括:在所述衬底之上的第一薄膜晶体管,在所述衬底之上与所述第一薄膜晶体管电连接的第一连接引线,位于所述第一薄膜晶体管之上的封装层,位于所述封装层之上的光敏器件,以及位于所述封装层之上的与所述光敏器件电连接的第二连接引线;
所述第一连接引线,所述第二连接引线,以及所述封装层均延伸到所述周边区;
所述周边区包括:位于所述第一连接引线和所述封装层之间的挡墙;
所述封装层覆盖所述挡墙,且所述封装层在所述挡墙背离所述第一薄膜晶体管的一侧具有暴露所述第一连接引线的第一过孔,所述第二连接引线通过所述第一过孔与所述第一连接引线电连接。
在一些实施例中,所述阵列基板还包括:位于所述封装层之上的触控模组;
所述触控模组包括:位于所述封装层之上的第一触控功能层,位于所述第一触控功能层之上的第一绝缘层,以及位于所述第一绝缘层之上的第二触控功能层;
所述光敏器件包括:与所述第一触控功能层位于同一层的第一电极层,与所述第二触控功能层位于同一层的第二电极层,以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的光敏层;
所述第二连接引线与所述第一电极层位于同一层,所述第二电极层通过所述第一绝缘层的第二过孔与所述第二连接引线电连接。
在一些实施例中,所述第一触控功能层和所述第二触控功能层包括虚设触控电极,所述第一电极层和所述第二电极层复用所述虚设触控电极。
在一些实施例中,所述第一电极层包括第一子电极;
所述第二电极层包括第二子电极;
所述第一绝缘层具有露出所述第一子电极的第三过孔,所述光敏层位于所述第三过孔内;
所述第一子电极、所述光敏层以及所述第二子电极依次堆叠设置。
在一些实施例中,所述第一电极层包括:遮光部,与所述遮光部相互绝缘的第三子电极;
所述光敏层位于所述第一绝缘层之上,所述光敏层包括:第一接触层,第二接触层,以及在平行于所述衬底方向上位于所述第一接触层和所述第二接触层之间的光敏半导体层;
所述遮光部在所述衬底上的正投影覆盖所述光敏半导体层在所述衬底上的正投影;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的