[发明专利]基于垂直耦合结构的硅-氮化硅集成偏振分束器

权利要求书

1.基于垂直耦合结构的硅-氮化硅集成偏振分束器，其特征在于，包括输入波导(1)、偏振分束波导(2)、第一输出波导(3)和第二输出波导(4)，所述输入波导(1)与偏振分束波导(2)一端连接，所述偏振分束波导(2)另一端分别与第一输出波导(3)、第二输出波导(4)连接，所述偏振分束波导(2)是由下至上依次分布的硅-氮化硅-硅构成的三层结构；

所述输入波导(1)是由下至上依次分布的硅-氮化硅构成的两层结构；

所述第二输出波导(4)是单层硅结构，呈S形弯曲形状。

2.根据权利要求1所述的基于垂直耦合结构的硅-氮化硅集成偏振分束器，其特征在于，所述第一输出波导(3)是由下至上依次分布的硅-氮化硅构成的两层结构。

3.根据权利要求1所述的基于垂直耦合结构的硅-氮化硅集成偏振分束器，其特征在于，还包括包层(5)，包覆在输入波导(1)、偏振分束波导(2)、第一输出波导(3)和第二输出波导(4)外侧。

4.根据权利要求1-3任一项所述的基于垂直耦合结构的硅-氮化硅集成偏振分束器，其特征在于，所述输入波导(1)、偏振分束波导(2)、第一输出波导(3)、第二输出波导(4)中硅层厚度为80～180微米，氮化硅层厚度为300～600微米。