[发明专利]阻变存储器的操作方法、存储装置的控制方法和存储装置

说明书

一种阻变存储器的操作方法、存储装置的控制方法和存储装置。该阻变存储器的操作方法包括：对阻变存储器执行写入操作；在写入操作后执行延时操作，其中，延时操作持续预定时间以进行延时；以及在延时操作后执行延时校验操作，其中，延时校验操作包括获取阻变存储器当前的存储值，并判断阻变存储器当前的存储值与目标值的差是否在预设误差范围内。该阻变存储器的操作方法可以提高阻变存储器存储的存储值的可靠性，并且提高阻变存储器在计算应用中计算结果的准确性。

技术领域

本公开的实施例涉及一种阻变存储器的操作方法、存储装置的控制方法和存储装置。

背景技术

阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)具有非易失、功耗低、计算速度快，微缩特性良好等诸多优势，因此，阻变存储器在人工智能、神经网络以及存储器等领域具有较好的应用前景。

然而，由于阻变存储器自身的驰豫现象，可能导致阻变存储器不稳定，从而使得存储的存储值发生变化，以及影响阻变存储器在计算应用中计算结果的准确性。

发明内容

本公开至少一个实施例提供一种阻变存储器的操作方法，包括：对所述阻变存储器执行写入操作；在所述写入操作后执行延时操作，其中，所述延时操作持续预定时间以进行延时；以及在所述延时操作后执行延时校验操作，其中，所述延时校验操作包括获取所述阻变存储器当前的存储值，并判断所述阻变存储器当前的存储值与目标值的差是否在预设误差范围内。

例如，在本公开一实施例提供的操作方法中，该操作方法还包括：若所述延时校验操作的判断结果为否，则继续执行所述写入操作、所述延时操作以及所述延时校验操作；或者若所述延时校验操作的判断结果为是，则结束所述操作方法。

例如，在本公开一实施例提供的操作方法中，该操作方法还包括：在所述写入操作后且在所述延时操作之前，对所述阻变存储器执行预校验操作，其中，所述预校验操作包括：获取所述阻变存储器当前的存储值；以及判断所述阻变存储器当前的存储值与所述目标值的差是否在所述预设误差范围内。

例如，在本公开一实施例提供的操作方法中，在所述写入操作后执行延时操作包括：若所述预校验操作的判断结果为否，则在所述预校验操作之后再依次对所述阻变存储器执行所述写入操作和所述预校验操作，直至所述预校验操作的判断结果为是；以及若所述预校验操作的判断结果为是，则对所述阻变存储器执行所述延时操作。

例如，在本公开一实施例提供的操作方法中，该操作方法还包括若所述预校验操作的判断结果为是，且所述延时校验操作的判断结果为是，则结束所述操作方法。

例如，在本公开一实施例提供的操作方法中，该操作方法还包括在所述写入操作之前，对所述阻变存储器执行预读操作；其中，所述预读操作包括：读取所述阻变存储器当前的存储值；以及根据所述阻变存储器当前的存储值，确定所述写入操作所采用的写入脉冲。

例如，在本公开一实施例提供的操作方法中，获取所述阻变存储器当前的存储值包括：向所述阻变存储器施加读取电压；获取所述阻变存储器在所述读取电压的作用下输出的电流值；以及根据所述电流值和所述读取电压，确定所述阻变存储器当前的存储值。

例如，在本公开一实施例提供的操作方法中，预定时间的取值范围为1ms-10s。

本公开至少一个实施例提供一种存储装置的控制方法，其中，所述存储装置包括多个阻变存储器，所述控制方法包括：对所述多个阻变存储器中的至少部分阻变存储器分别执行操作方法，所述操作方法包括：对所述阻变存储器执行写入操作；在所述写入操作后执行延时操作，其中，所述延时操作持续预定时间以进行延时；以及在所述延时操作后执行延时校验操作，其中，所述延时校验操作包括获取所述阻变存储器当前的存储值，并判断所述阻变存储器当前的存储值与目标值的差是否在预设误差范围内。