[发明专利]距离传感器像素阵列结构、距离传感器及工作方法在审
| 申请号： | 202010933576.9 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112038361A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 东尚清 | 申请（专利权）人： | 上海大芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01S7/484;G01S7/4861;G01S7/4911;G01S7/4913;G01S17/08;G01S17/894 |
| 代理公司： | 上海启核知识产权代理有限公司 31339 | 代理人： | 王仙子 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 距离 传感器 像素 阵列 结构 工作 方法 | ||
1.一种距离传感器像素阵列结构，其特征在于，包括：
呈阵列排布的多个像素单元，部分所述像素单元同时开启。
2.如权利要求1所述的距离传感器像素阵列结构，其特征在于，相邻的多个像素单元同时开启。
3.一种距离传感器，其特征在于，包括发射端和接收端，所述接收端包括呈阵列排布的多个像素单元；部分所述像素单元被所述发射端以正常功率发射出的光斑照射，且被照射的像素单元处于开启状态。
4.如权利要求3所述的距离传感器，其特征在于，所述发射端通过准直镜和DOE后提供的光斑包括多个散斑，所述发射端每次提供的散斑对应不同的像素单元。
5.如权利要求4所述的距离传感器，其特征在于，所述发射端通过准直镜和DOE后提供还提供次光斑，所述次光斑的能量低于所述光斑的能量。
6.如权利要求3所述的距离传感器，其特征在于，所述发射端通过扩散片后提供一个光斑，一次发射至少照射一个区域的像素单元。
7.一种距离传感器的工作方法，其特征在于，包括：发射端以正常功率发射光斑，经被测物反射后到达接收端，所述接收端包括呈阵列排布的多个像素单元，部分所述像素单元被照射，且被照射的像素单元处于开启状态。
8.根据权利要求7所述的距离传感器的工作方法，其特征在于，所述发射端还同时以低于正常功率发射多个次光斑，每个次光斑照射一个像素单元，并与所述光斑不重叠。
9.如权利要求7所述的距离传感器的工作方法，其特征在于，所述发射端发射散斑，每个散斑照射至少一行像素单元的一部分或者至少一列像素单元的一部分。
10.如权利要求7所述的距离传感器的工作方法，其特征在于，所述发射端发射一个光斑，照射至少一个区域的像素单元。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大芯半导体有限公司，未经上海大芯半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010933576.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
