[发明专利]一种III族氮化物纳米线柔性发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种III族氮化物纳米线柔性发光二极管，其特征在于，所述III族氮化物纳米线发光二极管依次顺序包括PDMS基层、金属反射层、p型接触层、III族氮化物纳米线和顶层金属接触点层，所述III族氮化物纳米线覆盖有抗蚀剂；

所述III族氮化物纳米线为自组织的InGaN纳米线，所述自组织的InGaN纳米线顺序包括n-GaN、有源区和p-GaN，所述n-GaN和所述顶层金属接触点层接触，所述p-GaN和所述p型接触层接触；

所述金属反射层为第一Au层，所述p型接触层为Ni层，所述第一Au层的厚度为150～160nm，所述Ni层的厚度为10～12nm；

所述顶层金属接触点层由外至内依次包括第二Au层、第一Ti层、ITO层、第三Au层和第二Ti层；

所述第二Au层的厚度为100～110nm，所述第一Ti层的厚度为10～15nm，所述ITO层的厚度为200～210nm，所述第三Au层的厚度为5～10nm，所述第二Ti层的厚度为5～10nm。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物纳米线发光二极管，其特征在于，所述自组织的InGaN纳米线的半径为60～62nm，所述相邻自组织的InGaN纳米线的几何中心轴间距为110～112nm。

3.根据权利要求1所述的III族氮化物纳米线发光二极管，其特征在于，所述抗蚀剂为聚酰亚胺。

4.根据权利要求1所述的III族氮化物纳米线发光二极管，其特征在于，所述PDMS的厚度为150～200μm。

5.一种如权利要求1-4任一所述III族氮化物纳米线发光二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)通过MBE在SOI基板上生长纳米线，将聚酰亚胺抗蚀剂旋涂以完全覆盖所述纳米线，进行氧等离子体蚀刻以露出所述纳米线的顶部，所述SOI基板包括SiO₂层和两个Si层，所述两个Si层分别在SiO₂层两面；

(2)将所述聚酰亚胺在350～380℃烘烤30～45分钟；

(3)在所述纳米线的顶部依次沉积Ni层和Au层，所述Ni层作为p型接触层，所述Au层作为金属反射层，在所述Au层上旋涂PDMS基层；

(4)去除所述SOI基板；

(5)在去除的SOI基板的位置处依次沉积Ti层、Au层、ITO层、Ti层和Au层。

6.根据权利要求5所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述纳米线为自组织的InGaN纳米线，所述自组织的InGaN纳米线通过射频等离子体辅助分子束外延方法在SOI基板上生长。