[发明专利]一种闪存的数据结构、存储方法、读取方法及转移方法

说明书

本申请公开了闪存的数据结构、存储方法、读取方法及转移方法，所述数据结构包括：所述闪存包括n页数据，每页数据含有m位数据，每页所述m位数据中的前32位数据存储本页的相关信息，第33‑64位存储数据单元的数据头；当m＝64时，本页不存储数据单元的数据，当m＞64时，本页从第65位开始存储数据单元的数据；其中，n为自然数，m≥64。

技术领域

本申请涉及数据存储领域，具体而言，涉及一种闪存的数据结构存储方法、读取方法及转移方法。

背景技术

闪存(Flash)是一种非易失性(Non-Volatile)存储媒介，它的存储特性类似于硬盘，在没有电流供应的情况下也能够长久地保存数据，这项特性使其成为各类便携式数字设备的存储介质。较之传统的EEPROM存储媒介，闪存的结构简单，速度更快，成本更低，但是也存在操作繁琐的缺点：

最小擦除单位为页(2k/4k/8k字节，随芯片不同而异)；所有擦除后bit的值为1，每个bit只能由1写为0；写入速度快，以页为单位的擦除时间相对较长；每页的擦除次数有限，随芯片不同而异。

因此，现有技术中的闪存不能够像EEPROM一样对每个bit进行独立的擦除和写入操作，如果要修改例如16字节这种少量数据，也必须擦除其对应的整个页(一般来说1页在512字节，即4069位以上)，这不仅由于擦除速度对软件性能产生影响，而且对Flash本身的擦除次数也是一种严重的浪费。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种闪存的数据结构，所述闪存包括n页数据，每页数据含有m位数据，每页所述m位数据中的前32位数据存储本页的相关信息，第33-64位存储数据单元的数据头；当m＝64时，本页不存储数据单元的数据，当m＞64时，本页从第65位开始存储数据单元的数据；

其中，n为自然数，m≥64。

可选地，所述本页的相关信息包括：

页占用标志，占位为1位；

页写满标志，占位为1位；

保留标志，占位为10位；

页擦除次数统计标志，占位为20位。

可选地，所述数据头包括：

数据单元占用标志，占位为1位；

数据单元有效标志，占位为1位；

保留标志，占位为6位；

数据单元编号，占位为16位；

数据单元长度，占位为8位。

根据本申请的另一个方面，还提供了一种闪存的数据存储方法，使用如上述任意一项所述闪存的数据结构；

当初次写入数据时，在闪存中存储页的前32位写入页相关信息；

在所述存储页的其它位写入数据单元；

当写入新数据时，读取已有所述数据单元的数据头；

判断已有有效数据单元的数据单元编号是否与新数据单元的数据单元编号重复，如果重复，改变所述已有有效数据单元的数据单元有效标志值为无效，写入新数据至所述有效数据单元，如果不重复，直接写入新数据至所述有效数据单元。

可选地，当写入新数据失败时，使用空数据单元填充所述有效数据单元的尾部；

写入所述新数据至下一存储页；

当写入所述新数据至下一存储页时，在所述下一存储页的前32位写入页相关信息，在所述下一存储页的其它位写入所述新数据。