[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

配线衬底；

半导体芯片，搭载在所述配线衬底上；以及

含树脂层，粘接于所述配线衬底以将所述半导体芯片固定在所述配线衬底上；且

所述含树脂层包含125℃下的破坏强度为15MPa以上的含树脂材。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述含树脂材的线膨胀系数为70ppm以下。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述含树脂材与所述配线衬底的构成材料的粘接强度为10MPa以上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述含树脂层的厚度为40μm以上150μm以下。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体芯片嵌埋在所述配线衬底上粘接的所述含树脂层内。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述含树脂层介置在所述配线衬底与所述半导体芯片之间，以将所述半导体芯片粘接在所述配线衬底上。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述含树脂材是含有环氧树脂、酚系树脂、丙烯酸系橡胶及无机填充材的树脂组合物的硬化物。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述环氧树脂的环氧基当量为150g/eq以上2000g/eq以下，所述酚系树脂的羟基当量为90g/eq以上220g/eq以下，

所述环氧树脂的所述环氧基当量相对于所述酚系树脂的所述羟基当量的比率为0.8以上1.2以下。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述丙烯酸系橡胶的重量平均分子量为500000以上1000000以下，所述树脂组合物中的所述丙烯酸系橡胶的调配比率为1质量％以上20质量％以下。

10.一种半导体装置，具备：

配线衬底；

第1半导体芯片，搭载在所述配线衬底上；

含树脂层，设置在所述配线衬底上以将所述第1半导体芯片嵌埋在所述配线衬底；以及

多个第2半导体芯片，积层搭载在所述第1半导体芯片上；且

所述含树脂层包含125℃下的破坏强度为15MPa以上的含树脂材。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其还具备间隔芯片，所述间隔芯片介置在所述含树脂层与所述多个第2半导体芯片之间。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中包含所述多个第2半导体芯片的积层体在积层方向上的厚度比率为所述半导体装置的整体厚度的67％以上。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述含树脂材的线膨胀系数为70ppm以下。

14.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述含树脂材与所述配线衬底的构成材料的粘接强度为10MPa以上。

15.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述含树脂层的厚度为40μm以上150μm以下。

16.一种半导体装置，具备：

配线衬底；

多个半导体芯片，搭载在所述配线衬底上；以及

粘接层，将所述多个半导体芯片中的下侧的第1芯片与所述配线衬底、及所述多个半导体芯片中的上侧的第2芯片与所述第1芯片粘接；且

将所述第1芯片与所述配线衬底粘接的粘接剂层包含125℃下的破坏强度为15MPa以上的含树脂材。

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中包含所述多个半导体芯片的积层体在积层方向上的厚度比率为所述半导体装置的整体厚度的67％以上。