[发明专利]集成电路晶粒及其制造方法在审
| 申请号： | 202010935547.6 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN113013102A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 何宜臻;林千;林子玮;谢忠儒;赖经纶;罗名凯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 晶粒 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造集成电路晶粒的方法，其特征在于，包含以下步骤：
形成包括一通道区域及一防冲穿区域的一半导体鳍片；
在该半导体鳍片中形成一凹座，该凹座具有邻接该防冲穿区域的一侧壁；
沉积一介电材料层在该凹座的该侧壁上；
当该介电材料层在该凹座的该侧壁上时执行一退火制程；
自该凹座的该侧壁移除该介电材料层；以及
通过在该凹座中沉积一半导体材料以在该半导体鳍片中形成一晶体管源极区域。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该执行该退火制程包括：将一第一掺杂剂自该防冲穿区域扩散至该介电材料层内。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该执行该退火制程包括:降低该防冲穿区域中的该第一掺杂剂的一浓度。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中该第一掺杂剂包括氟。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中该第一掺杂剂包括氢或碳。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中在该退火制程后的该防冲穿区域中的该第一掺杂剂的一浓度小于1E4/cm^3。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中在执行该退火制程后的该防冲穿区域中的一第二掺杂剂的一浓度大于1E15/cm^3。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包含：使用与该第二掺杂剂的一相对类型的一第三掺杂剂掺杂该晶体管源极区域。
9.一种制造集成电路晶粒的方法，其特征在于，包含以下步骤：
形成包括一通道区域及一防冲穿区域的一半导体鳍片，该防冲穿区域包括氟及硼；
通过蚀刻该半导体鳍片在该半导体鳍片中形成一凹座；
在邻接该防冲穿区域的该凹座中沉积一介电材料层；
自该防冲穿区域移除该氟的一部分并对该介电材料层执行一退火制程；
自该凹座移除该介电材料层；以及
通过在该凹座中沉积一半导体材料以在该凹座中形成一晶体管源极区域。
10.一种集成电路晶粒，其特征在于，包含：
一半导体基板；
一半导体鳍片，自该半导体基板突出；
一通道区域，位在该半导体鳍片中；
一栅极介电层，位于该通道区域上方的该半导体鳍片上；
一栅极电极，位于该栅极介电层上；
一防冲穿区域，位在该半导体鳍片中，该防冲穿区域掺杂有一第一掺杂剂类型；以及
一源极区域，位在该半导体鳍片中，该源极区域掺杂有与该第一掺杂剂类型相对的一第二掺杂剂类型，其中该源极区域与该防冲穿区域之间的一界面具有小于1nm峰至谷的一粗糙度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010935547.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于存储器刷新操作的精细粒度模式的选择性延长
- 下一篇：用于风扇的可移动入口
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
