[发明专利]显示基板及其制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板、形成于衬底基板上的薄膜晶体管、补氧功能层、氧容纳层和第一电极，所述薄膜晶体管包括：有源层，所述有源层的材料包括：氧化物半导体材料；

所述第一电极为像素电极、公共电极或有机发光二极管的阳极，所述第一电极的材料包括：金属氧化物材料，所述第一电极与所述补氧功能层为同一结构；

所述氧容纳层位于所述第一电极和所述衬底基板之间，所述氧容纳层配置为在沉积用于构成所述第一电极的金属氧化物材料的过程中容纳被注入的氧离子，以及释放氧离子以填补所述有源层中的氧空位。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：栅极，所述栅极与所述有源层之间设置有栅绝缘层，所述第一电极位于所述栅绝缘层背向所述衬底基板的一侧；

所述栅绝缘层为所述氧容纳层。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述栅极位于所述有源层和所述衬底基板之间；

或者，所述栅极位于所述有源层背向所述衬底基板的一侧。

4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述有源层背向所述衬底基板一侧的源漏电极；

所述第一电极位于所述源漏电极与所述栅绝缘层之间。

5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述有源层背向所述衬底基板一侧的源漏电极；

所述第一电极位于所述源漏电极背向所述衬底基板的一侧，所述第一电极与所述源漏电极之间设置有第一钝化层；

所述第一钝化层和所述栅绝缘层均为所述氧容纳层。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述金属氧化物材料中的金属材料包括：铟、镓、锌、钨、钼、锡中的一种或多种。

7.根据权利要求1-6中任一所述的显示基板，其特征在于，还包括：第二电极，所述第二电极位于所述第一电极背向所述衬底基板的一侧；

所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；

或者，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；

或者，所述第一电极为有机发光二极管的阳极，所述第二电极为有机发光二极管的阴极。

8.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求1-7中任一所述的显示基板。

9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管、形成氧容纳层、形成第一电极和补氧功能层，所述第一电极为像素电极或公共电极，所述第一电极位于氧容纳层背向所述衬底基板的一侧，所述第一电极与所述补氧功能层为同一结构；

其中，形成薄膜晶体管的步骤包括：形成有源层，所述有源层的材料包括：氧化物半导体材料；

形成第一电极的步骤包括：通过溅射沉积工艺在所述氧容纳层背向所述衬底基板的一侧沉积金属氧化物材料以形成金属氧化物薄膜，溅射沉积工艺环境中存在氧气，以使得形成金属氧化物薄膜的过程中部分氧离子注入到所述氧容纳层内；

对所述金属氧化物薄膜进行图案化以得到所述第一电极的图形；

在形成有源层的步骤和形成第一电极的步骤之后，还包括：

将氧容纳层内的氧离子扩散到有源层，以填补有源层内的氧空位。

10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在通过溅射沉积工艺在所述氧容纳层背向所述衬底基板的一侧沉积金属氧化物材料以形成金属氧化物薄膜的过程中，溅射沉积工艺环境中的氧分压占比大于或等于20％。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，溅射沉积工艺环境中的氧分压占比大于50％；

在对所述金属氧化物薄膜进行图案化以得到所述第一电极的图形的步骤之后，还包括：

对所述第一电极的图形进行导体化处理。