[发明专利]一种钼铌靶材组件中背板的水道口的抛光工艺有效
| 申请号： | 202010935907.2 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112008508B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;窦兴贤;王学泽;王青松;刘明健 | 申请（专利权）人： | 合肥江丰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B29/00 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 230012 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钼铌靶材 组件 背板 水道 抛光 工艺 | ||
1.一种钼铌靶材组件中背板的水道口的抛光工艺，其特征在于，所述抛光工艺包括对钼铌靶材组件中背板的水道口采用伞状抛光刷进行抛光；所述抛光中抛光刷的旋转方向为顺时针；
所述伞状抛光刷包括倒圆台形抛光面及围绕其分布的带形抛光面；
所述倒圆台形侧面与水平面的夹角为85-88°，倒圆台形抛光面的底面直径为1.5-3cm；
所述带形抛光面的宽度为0.2-0.5mm；
以水平面为基准，所述带形抛光面中抛光丝呈辐射分布，分布范围为0-45°。
2.如权利要求1所述的抛光工艺，其特征在于，所述抛光刷的抛光丝长度为15-20mm。
3.如权利要求1所述的抛光工艺，其特征在于，所述抛光中采用手枪钻作为抛光刷的驱动工具。
4.如权利要求1所述的抛光工艺，其特征在于，所述抛光中抛光刷的转速为0.8-1m/s。
5.如权利要求4所述的抛光工艺，其特征在于，所述抛光中抛光刷的转速为0.85-0.9m/s。
6.如权利要求1所述的抛光工艺，其特征在于，所述抛光的时间为15-20s。
7.如权利要求6所述的抛光工艺，其特征在于，所述抛光的时间为16-18s。
8.如权利要求1所述的抛光工艺，其特征在于，所述抛光的深度＜0.05mm。
9.如权利要求8所述的抛光工艺，其特征在于，所述抛光的深度为0.01-0.03mm。
10.如权利要求1所述的抛光工艺，其特征在于，所述抛光工艺包括对钼铌靶材组件中背板的水道口采用伞状抛光刷进行抛光；所述抛光中抛光刷的旋转方式为顺时针；所述抛光中抛光刷的转速为0.8-1m/s；所述抛光的时间为15-20s；所述抛光的深度＜0.05mm；
所述伞状抛光刷包括倒圆台形抛光面及围绕其分布的带形抛光面；
所述倒圆台形侧面与水平面的夹角为85-88°，倒圆台形抛光面的底面直径为1.5-3cm；
所述带形抛光面的宽度为0.2-0.5mm；
以水平面为基准，所述带形抛光面中抛光丝呈辐射分布，分布范围为0-45°。
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