[发明专利]在容错系统中以较低的Vmin操作的经标记的存储器在审
申请号: | 202010937360.X | 申请日: | 2020-09-08 |
公开(公告)号: | CN112463354A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | N·乔拉;G·德索利;A·格罗弗;T·勃伊施;S·P·辛格;M·阿尤蒂亚瓦斯 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司 |
主分类号: | G06F9/50 | 分类号: | G06F9/50;G06N3/08;G06N3/10;G06K9/00;G11C5/14;G11C29/00;G11C29/42 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 容错 系统 vmin 操作 标记 存储器 | ||
1.一种系统,包括:
多个存储器单元,在操作中,所述多个存储器单元储存数据;
存储器管理电路装置,耦合到所述多个存储器单元,其中在操作中,所述存储器管理电路装置将所述多个存储器单元中的第一集合标记为与第一操作模式相关联,并且将所述多个存储器单元中的第二集合标记为与第二操作模式相关联;以及
电源控制电路装置,被耦合到所述存储器管理电路装置和所述多个存储器单元,其中所述电源控制电路装置在操作中基于所述标记,将第一操作电压提供给所述存储器单元的第一集合,并且将第二操作电压提供给所述存储器单元的第二集合,其中所述第一操作电压不同于所述第二操作电压。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述存储器管理电路装置将所述存储器单元的第一集合标识为在所述第一操作电压处具有在第一阈值等级以下的统计错误概率的存储器单元。
3.根据权利要求2所述的系统,其中所述第一阈值等级对应于在所述多个存储器单元中的百分之一的位单元感测放大器边缘性故障。
4.根据权利要求2所述的系统,其中所述存储器管理电路装置将所述存储器单元的第二集合标识为在所述第二操作电压处具有在第二阈值等级以下的统计错误概率的存储器单元,所述第二阈值等级低于所述第一阈值等级。
5.根据权利要求1所述的系统,其中在操作中,所述存储器管理电路装置通过将第一值储存在与所述存储器单元的第一集合相关联的第一存储器中,来标记所述存储器单元的第一集合。
6.根据权利要求1所述的系统,其中所述多个存储器单元被布置为与多个单元列相交的多个单元行,并且其中所述存储器单元的第一集合包括在所述多个单元列中的列的子集。
7.根据权利要求6所述的系统,其中在操作中,所述存储器管理电路装置通过将值储存在所述列的子集中的每个列中,来标记所述存储器单元的第一集合。
8.根据权利要求6所述的系统,其中在操作中,所述存储器管理电路装置通过将值储存在与多个所述列的子集相关联的存储器中,来标记所述存储器单元的第一集合。
9.根据权利要求1所述的系统,其中所述多个存储器单元被布置为与多个单元列相交的多个单元行,并且其中所述存储器单元的第一集合包括在所述多个单元行中的行的子集。
10.根据权利要求9所述的系统,其中所述存储器管理电路装置通过将值储存在所述行的子集中的每个行中,来标记所述存储器单元的第一集合。
11.根据权利要求9所述的系统,其中所述存储器管理电路装置通过将值储存在与多个所述行的子集相关联的存储器中,来标记所述存储器单元的第一集合。
12.根据权利要求6所述的系统,其中在操作中,所述存储器管理电路装置通过储存存储器单元地址和对应的标记的表,来标记所述存储器单元。
13.根据权利要求1所述的系统,其中所述电源控制电路装置包括低电压电源和高电压电源。
14.根据权利要求13所述的系统,包括:
电压选择电路,在操作中,所述电压选择电路基于对所述存储器单元的第一集合的所述标记,选择所述低电压电源,以将所述第一操作电压提供给所述存储器单元的第一集合,并且基于对所述存储器单元的第二集合的所述标记,选择所述高电压电源,以将所述第二操作电压提供给所述存储器单元的第二集合。
15.根据权利要求1所述的系统,其中在操作中,所述存储器管理电路装置基于标记值来选择性地实现错误校正编码。
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