[发明专利]MIM电容的制造方法

说明书

本申请公开了一种MIM电容的制造方法，涉及半导体制造领域。该MIM电容的制作方法包括形成对准标记；在所述衬底上形成氧化层；在所述氧化层上方依次形成下极板金属层、介质层、上极板金属层；刻蚀所述上极板金属层、所述介质层和下极板金属层，形成MIM电容；解决了目前MIM电容的制造过程中容易在衬底边缘出现剥脱现象的问题；达到了在不增加生产成本的情况，减小衬底边缘出现剥脱现象的风险的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种MIM电容的制造方法。

背景技术

电容是常用的无源器件之一，被广泛应用于各种芯片中。半导体器件中的电容包括MIM(metal insulator metal,金属-绝缘层-金属)电容、PIP(poly insulator poly，多晶硅-绝缘层-多晶硅)电容、MOM(metal oxide metal，金属-氧化物-金属)电容等，其中，PIP电容因为制造相对简单被广泛应用。

MIM电容包括下极板、上极板、以及位于上级板和下极板之间的介质层，MIM电容可在BEOL(Back End of Line，后端工艺)处理过程中制作。在MIM电容的制造中，在衬底上通过光刻和刻蚀工艺形成对准标记后，还需要对衬底进行光刻胶去边，然后再在衬底上沉积构成MIM电容的上极板金属层、介质层、下极板金属层。

然而，经过光刻胶去边处理后，衬底的边缘区域堆叠的薄膜结构发生变化，沉积构成MIM电容的上极板金属层、介质层、下极板金属层后，不合理的薄膜堆叠结构导致应力过大，会令边缘区域会产生剥脱(peeling)风险。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种MIM电容的制造方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种MIM电容的制造方法，该方法包括：

在所述衬底上形成对准标记；

在所述衬底上形成氧化层；

在所述氧化层上方依次形成下极板金属层、介质层、上极板金属层；

刻蚀所述上极板金属层、所述介质层和上极板金属层，形成MIM电容。

可选的，在所述衬底上形成对准标记，包括：

通过光刻工艺定义对准标记图案；

通过刻蚀工艺刻蚀氮掺杂碳化硅层和金属互连层，形成所述对准标记。

可选的，在形成所述对准标记的过程中，对所述衬底进行光刻胶去边处理。

可选的，经过光刻胶去边处理，衬底边缘区域的光刻胶被去除。

可选的，所述下极板金属层的材料为氮化钽，所述上极板金属层的材料为氮化钽。

可选的，所述介质层的材料为氮化硅或二氧化硅。

可选的，所述在衬底上形成对准标记之前，该方法还包括：

沉积低k金属材料，形成金属互连层；

在所述金属互连层上方形成氮掺杂碳化硅层。

可选的，所述刻蚀所述上极板金属层、所述介质层和所述下极板金属层，形成MIM电容，包括:

通过光刻工艺定义上极板图案；

通过刻蚀工艺刻蚀所述上极板金属层，形成上极板；

以所述上极板为掩膜，刻蚀所述介质层；

刻蚀所述下极板金属层，形成下极板。

本申请技术方案，至少包括如下优点：