[发明专利]一种光阻层阻挡能力的检测方法及检测系统

权利要求书

1.一种光阻层阻挡能力的检测方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆为第一掺杂类型的晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆具有相同的结构；

对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行第一次掺杂，以在所述第一晶圆和所述第二晶圆中形成第一掺杂区，所述第一次掺杂的离子类型为第二掺杂类型，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型不同；

对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行退火处理，并测量所述第一晶圆的电阻，并将所述电阻定义为第一电阻；

在所述第二晶圆上形成光阻层；

对所述第二晶圆的所述第一掺杂区进行第二次掺杂；

移除所述光阻层，并测量所述第二晶圆的电阻，并将所述电阻定义为第二电阻；

其中，若所述第二电阻和所述第一电阻的差值大于阈值，则所述第二次掺杂击穿所述光阻层，若所述第二电阻和所述第一电阻的差值小于阈值，则所述第二次掺杂未击穿所述光阻层。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，当所述第一掺杂类型为P型时，所述第二掺杂类型为N型；当所述第一掺杂类型为N型时，所述第二掺杂类型为P型。

3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一次掺杂的掺杂剂量在10¹¹-10¹⁵/cm²之间，所述第二次掺杂的掺杂剂量在10¹⁰-10¹⁶/cm²之间。

4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一次掺杂的掺杂能量在1-50KeV之间，所述第二次掺杂的掺杂能量在1-8000KeV之间。

5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述退火处理的温度包括850-1100℃，所述退火处理的时间包括0-10分钟。

6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述光阻层覆盖所述第一掺杂区。

7.根据权利要求1-6任一所述的检测方法，其特征在于，在测量所述第一晶圆的电阻时，还测量所述第一晶圆的热导率。

8.根据权利要求7所述的检测方法，其特征在于，在测量所述第二晶圆的电阻时，还测量所述第二晶圆的热导率；若所述第二晶圆的热导率和所述第一晶圆的热导率的差值大于预设值，则所述第二次掺杂击穿所述光阻层，若所述第二晶圆的热导率和所述第一晶圆的热导率的差值小于预设值，则所述第二次掺杂未击穿所述光阻层。

9.一种光阻层阻挡能力的检测系统，其特征在于，包括：

电阻测量单元，用于测量第一晶圆和第二晶圆的电阻，并将所述第一晶圆的电阻定义为第一电阻，将所述第二晶圆的电阻定义为第二电阻；

光阻层形成单元，用于在所述第二晶圆上形成光阻层；

剥离单元，用于剥离所述光阻层；其中，在测量所述第一晶圆的电阻之前，对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行第一次掺杂，以在所述第一晶圆和所述第二晶圆中形成第一掺杂区，并对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行退火处理；其中，在测量所述第二晶圆的电阻之前，对所述第二晶圆的所述第一掺杂区进行第二次掺杂，并通过所述剥离单元剥离所述光阻层；

其中，所述第一晶圆和所述第二晶圆为第一掺杂类型的晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆具有相同的结构，所述第一次掺杂的离子类型为第二掺杂类型，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型不同；

比较单元，用于比较所述第一电阻和所述第二电阻，若所述第二电阻和所述第一电阻的差值大于阈值，则所述第二次掺杂击穿所述光阻层，若所述第二电阻和所述第一电阻的差值小于阈值，则所述第二次掺杂未击穿所述光阻层。