[发明专利]包括集成的标准单元结构的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

第一有源区，在第一方向上延伸；

第二有源区，在所述第一方向上延伸并在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一有源区间隔开；

第一标准单元，设置在所述第一有源区和所述第二有源区上，所述第一标准单元包括在所述第一有源区上的第一p型晶体管和在所述第二有源区上的第一n型晶体管；

第二标准单元，设置在所述第一有源区和所述第二有源区上，所述第二标准单元包括在所述第一有源区上的第二p型晶体管和在所述第二有源区上的第二n型晶体管；以及

填充单元，设置在所述第一标准单元和所述第二标准单元之间，并包括第一绝缘隔离物和第二绝缘隔离物，所述第一绝缘隔离物和所述第二绝缘隔离物中的每个在所述第二方向上延伸，

其中：

所述填充单元具有一个节距的尺寸，

所述第一绝缘隔离物和所述第二绝缘隔离物在所述第一方向上彼此间隔开所述一个节距的尺寸，

所述填充单元的所述第一绝缘隔离物设置在所述第一标准单元和所述填充单元之间的第一边界处，

所述填充单元的所述第二绝缘隔离物设置在所述第二标准单元和所述填充单元之间的第二边界处，以及

所述第一绝缘隔离物和所述第二绝缘隔离物将所述第一有源区的至少一部分分隔开，并将所述第二有源区的至少一部分分隔开。

2.根据权利要求1所述的集成电路，

其中所述第一标准单元在所述第一方向上与所述第二标准单元间隔开，以及

其中所述第一有源区和所述第二有源区中的每个在所述第一方向上被分成三个部分。

3.根据权利要求2所述的集成电路，还包括：

第一填充半导体图案和第二填充半导体图案，所述第一填充半导体图案在所述第一绝缘隔离物和所述第二绝缘隔离物之间设置在所述第一有源区中，所述第二填充半导体图案在所述第一绝缘隔离物和所述第二绝缘隔离物之间设置在所述第二有源区中。

4.根据权利要求3所述的集成电路，还包括：

在所述第一填充半导体图案上的第一填充接触以及在所述第二填充半导体图案上的第二填充接触，

其中所述第一填充接触和所述第二填充接触不连接到布线层。

5.根据权利要求1所述的集成电路，

其中所述第一标准单元还包括在所述第二方向上延伸并从所述第一有源区延伸到所述第二有源区的栅极堆叠，

其中所述第一有源区包括纳米片，以及

所述栅极堆叠包裹在所述纳米片周围。

6.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

在所述第一方向上延伸的上单元分隔膜；

在所述第一方向上延伸的下单元分隔膜；和

有源区分隔膜，在所述第一方向上延伸并插设在所述第一有源区和所述第二有源区之间，

其中所述有源区分隔膜、所述第一有源区和所述第二有源区设置在所述上单元分隔膜和所述下单元分隔膜之间，

其中所述第一绝缘隔离物和所述第二绝缘隔离物设置在所述有源区分隔膜上，

其中所述第一绝缘隔离物的底表面和所述第二绝缘隔离物的底表面低于所述上单元分隔膜的上表面，并且

其中所述上单元分隔膜的所述上表面高于所述有源区分隔膜的上表面。

7.根据权利要求6所述的集成电路，

其中所述第一标准单元包括在所述第二方向上从所述第一有源区延伸到所述第二有源区的第一栅极堆叠以及连接到所述第一栅极堆叠的栅极接触，以及

其中所述栅极接触设置在与所述第一有源区和所述第二有源区中的一个重叠的位置。

8.根据权利要求7所述的集成电路，还包括：

在所述第一方向上延伸的上单元栅极切割图案，所述上单元栅极切割图案与所述上单元分隔膜重叠，

其中所述第二标准单元还包括在所述第二方向上从所述第一有源区延伸到所述第二有源区的第二栅极堆叠，以及

其中所述第一绝缘隔离物、所述第二绝缘隔离物、所述第一栅极堆叠和所述第二栅极堆叠与所述上单元栅极切割图案接触。