[发明专利]写辅助电路、器件及其方法

权利要求书

1.一种写辅助电路，包括：

位线，具有近端和远端；

第一开关晶体管和第二开关晶体管，分别连接到所述近端和所述远端，并且其中，所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管响应于写使能信号；以及

第一电容器和第二电容器，所述第一电容器和所述第二电容器并联连接，其中，所述第一电容器连接到所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管中的至少一个，并且所述第二电容器连接到所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管，其中，在所述写使能信号导通所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管期间，所述第一电容器和所述第二电容器在所述近端和所述远端以时间时段保持平衡负电压。

2.根据权利要求1所述的写辅助电路，其中，将下降的负电压升压信号施加到所述第一电容器和所述第二电容器，以创建所述平衡负电压的电平。

3.根据权利要求1所述的写辅助电路，其中，所述第一电容器是MOS电容器。

4.根据权利要求1所述的写辅助电路，其中，所述第二电容器是金属电容器。

5.根据权利要求1所述的写辅助电路，其中，所述第一电容器是MOS电容器，并且所述第二电容器是金属电容器。

6.根据权利要求5所述的写辅助电路，其中，所述升压信号施加到所述第一电容器和所述第二电容器的第一极板，并且所述第一电容器和所述第二电容器的第二极板连接到所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管。

7.根据权利要求6所述的写辅助电路，其中，所述升压信号下降到在0mV至负300mV范围内的电压。

8.根据权利要求6所述的写辅助电路，其中，所述升压信号从0mV下降到负200mV。

9.一种写辅助器件，包括：

第一晶体管开关和第二晶体管开关，所述第一晶体管开关连接到位线的近端并且所述第二晶体管开关连接到所述位线的远端，所述第一晶体管开关和所述第二晶体管开关响应于通过信号；

MOS电容器和金属电容器，所述MOS电容器和所述金属电容器并联，所述MOS电容器直接连接到所述第一晶体管开关和所述第二晶体管开关中的至少一个，并且所述金属电容器直接连接到所述第一晶体管开关和所述第二晶体管开关；以及

控制电路，所述控制电路在写入操作期间提供突跳信号，所述突跳信号从地电平下降到负电平，其中，将所述突跳信号施加到所述MOS电容器和所述金属电容器在所述通过信号施加到所述第一开关晶体管和第二开关晶体管期间在所述突跳信号的电压与所述近端和所述远端处的电压之间建立平衡的耦合。

10.一种在位线的近端和远端建立平衡负电压的方法，包括：

并联连接MOS电容器和金属电容器，其中，所述MOS电容器的第二极板通过第一开关晶体管连接到位线的近端，并且所述金属电容器的第二极板通过所述第一开关晶体管连接到所述位线的近端且通过第二开关晶体管连接到所述位线的远端；

将下降的负突跳电压施加到所述MOS电容器和所述金属电容器的所述第一极板；以及

导通所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管，其中，所述MOS电容器和所述金属电容器耦合到所述近端和所述远端处的电压，并且向位线提供在时间时段内等于突跳电压的平衡电压。