[发明专利]一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器

权利要求书

1.一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器，其特征在于：所述红外光电探测器是以单晶硅衬底（2）为基底，所述单晶硅衬底的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构；在所述单晶硅衬底（2）的下表面转移有一层石墨烯薄膜（3），形成硅-石墨烯肖特基结；在所述石墨烯薄膜（3）的下表面设置有量子点层（4）；所述量子点层（4）内为硫化铅量子点或碲化铅量子点，量子点的平均粒径为3~5 nm；

在所述单晶硅衬底（2）的上表面设置有顶电极（1），在所述石墨烯薄膜（3）的下表面设置有底电极（5），所述顶电极（1）与所述单晶硅衬底（2）形成欧姆接触，所述底电极（5）与所述石墨烯薄膜（3）形成欧姆接触；

所述硅微孔阵列结构的参数为：硅微孔直径为50-100 μm、孔深为5-20 μm，相邻硅微孔的间距为100- 300 μm。

2.根据权利要求1所述的自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器，其特征在于：所述单晶硅衬底（2）的厚度为100 μm-500 μm。

3.根据权利要求1所述的自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器，其特征在于：所述顶电极（1）和所述底电极（5）为Au电极或Ag电极，厚度为20 nm-300 nm。