[发明专利]一种Micro LED模块及其制备方法

权利要求书

1.一种Micro LED模块，其特征在于，包括：

氮化镓单晶衬底；

设置在所述氮化镓单晶衬底上的量子阱发光层，所述量子阱发光层为n型掺杂；

设置在所述量子阱发光层上的至少一种颜色的量子点，所述量子点允许空穴经其注入；

设置在所述量子点上的空穴注入层。

2.根据权利要求1所述的Micro LED模块，其特征在于，所述氮化镓单晶衬底为n型单晶衬底；或者所述氮化镓单晶衬底为非掺杂衬底，并在其上外延有n型氮化镓。

3.根据权利要求1所述的Micro LED模块，其特征在于，还包括：

设置在所述氮化镓单晶衬底上的用于遮挡所述量子阱发光层及量子点的侧面的黑矩阵。

4.根据权利要求1所述的Micro LED模块，其特征在于，所述量子阱发光层为InGaN:Si/GaN:Si超晶格量子阱，所述至少一种颜色的量子点包括红色量子点和绿色量子点，所述红色量子点和所述绿色量子点均为钙钛矿量子点。

5.根据权利要求4所述的Micro LED模块，其特征在于，所述量子阱发光层上设有空穴传输层，所述空穴传输层位于所述空穴注入层的下方。

6.根据权利要求4所述的Micro LED模块，其特征在于，所述量子阱发光层、所述红色量子点和所述绿色量子点上分别设有空穴传输层，所述空穴传输层位于所述空穴注入层的下方。

7.根据权利要求1所述的Micro LED模块，其特征在于，所述量子阱发光层为GaN:Si/AlGaN:Si超晶格量子阱，所述至少一种颜色的量子点包括红色量子点、绿色量子点和蓝色量子点，所述红色量子点、所述绿色量子点和所述蓝色量子点为钙钛矿量子点。

8.根据权利要求 7所述的Micro LED模块，其特征在于，所述红色量子点、所述绿色量子点和所述蓝色量子点上分别设有空穴传输层，所述空穴传输层位于所述空穴注入层的下方。

9.根据权利要求1所述的Micro LED模块，其特征在于，所述空穴注入层为图形化层，所述空穴注入层之间有薄膜晶体管阵列，所述空穴注入层的图形与所述薄膜晶体管阵列的晶体管电连接。

10.一种Micro LED模块制备方法，其特征在于，包括：

提供一氮化镓单晶衬底，在其上形成量子阱发光层，并将所述量子阱发光层图形化；

在所述氮化镓单晶衬底上形成黑矩阵；

在所述量子阱发光层上形成至少一种颜色的量子点，所述量子点允许空穴经其注入，所述黑矩阵遮挡所述量子阱发光层及所述量子点的侧面；

在所述量子点上形成空穴注入层。

11.根据权利要求10所述的Micro LED模块制备方法，其特征在于，所述在所述量子点上形成空穴注入层，具体包括：

提供一氧化铟锡ITO玻璃，将该氧化铟锡ITO玻璃对位倒扣在所述量子点之上。

12.根据权利要求10所述的Micro LED模块制备方法，其特征在于，所述在所述量子点上形成空穴注入层之前，还包括：

通过蒸镀或溅镀或旋涂工艺形成空穴传输层，所述空穴传输层位于所述量子阱发光层和/或所述量子点上。