[发明专利]一种高压驱动集成电路及智能功率模块

权利要求书

1.一种高压驱动集成电路，其特征在于，包括：

一HVIC芯片；

一逆变器单元，所述逆变器单元包括至少两组逆变模块，每组逆变模块包括一LIGBT晶体管和一Sense-LIGBT晶体管，其中，所述LIGBT晶体管的基极和所述Sense-LIGBT晶体管的基极均与所述HVIC芯片相连，所述LIGBT晶体管的集电极与高压输入端连接，所述LIGBT晶体管的发射极与所述Sense-LIGBT晶体管的集电极连接，所述Sense-LIGBT晶体管的发射极包括主发射极和次发射极，所述主发射极与接地端连接；

一电流采样单元，所述电流采样单元包括至少两个采样电阻，所述采样电阻一端分别与所述Sense-LIGBT晶体管的次发射极和所述HVIC芯片连接，另一端连接于接地端。

2.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路，其特征在于，所述Sense-LIGBT晶体管由N个LIGBT单胞构成，所述N为大于2的自然数；

其中M个所述LIGBT单胞的发射极引出作为所述Sense-LIGBT晶体管的次发射极，所述M为小于N的自然数；（N-M）个的所述LIGBT单胞的发射极共同引出作为所述Sense-LIGBT晶体管的主发射极；

N个所述LIGBT单胞的集电极共同引出作为所述Sense-LIGBT晶体管的集电极，N个所述LIGBT单胞的基极共同引出作为所述Sense-LIGBT晶体管的基极。

3.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路，其特征在于，所述HVIC芯片内设置有过流保护电路和逻辑处理电路，所述过流保护电路与逻辑处理电路连接；

所述HVIC芯片上设有至少两个ITRIP端口，所述采样电阻通过ITRIP端口与所述过流保护电路连接，所述过流保护电路用于识别所述高压驱动集成电路的每相电流的状况，对每相电流的过流保护点进行调整。

4.根据权利要求3所述的高压驱动集成电路，其特征在于，所述HVIC芯片上还设有一Iset端口，所述Iset端口与所述过流保护电路连接，可通过Iset端口下拉电阻来调整每相电流的过流保护点。

5.根据权利要求3所述的高压驱动集成电路，其特征在于，所述HVIC芯片内还设置有过温保护电路，所述过温保护电路与所述逻辑处理电路连接，用于当温度超过设定阈值时，向所述逻辑处理电路发出信号，启动内部保护。

6.根据权利要求5所述的高压驱动集成电路，其特征在于，所述HVIC芯片上还设有一Tset端口，所述Tset端口与所述过温保护电路连接，可通过Tset端口下拉电阻来调整温度保护的阈值；所述HVIC芯片上还设有一TSO端口，所述TSO端口与所述过温保护电路连接，用于连接外部的MCU控制芯片。

7.根据权利要求3所述的高压驱动集成电路，其特征在于，所述HVIC芯片内还设置有欠压保护电路和报错电路，所述欠压保护电路和报错电路均与所述逻辑处理电路连接。

8.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路，其特征在于，所述HVIC芯片内还包括电源电路、输入电路、互锁与死区电路、电平转移电路以及多路驱动电路；所述输入电路分别与所述HVIC芯片的输入端口、所述电源电路连接，所述互锁与死区电路连接所述输入电路与所述电平转移电路，所述电路转移电路与多路驱动电路的输入端连接，每路驱动电路的输出端对应连接一个所述LIGBT晶体管或一个所述Sense-LIGBT晶体管。

9.根据权利要求1所述的高压驱动集成电路，其特征在于，所述LIGBT晶体管和所述Sense-LIGBT晶体管均连接有快恢复二极管。

10.一种智能功率模块，其特征在于，包括PCB基板、引线框架以及设置在PCB基板上的如权利要求1-9任意一项所述的高压驱动集成电路，所述引线框架通过锡焊焊接到所述PCB基板上。