[发明专利]一种微型电场传感器圆片级封装增敏降噪结构

权利要求书

1.一种微型电场传感器圆片级封装增敏降噪结构，其特征在于，包括：

基底层，制作有凹槽与多个垂直互连结构，表面沉积有第一绝缘层，所述第一绝缘层上刻蚀有使所述基底层接地的窗口；

器件层，刻蚀有传感结构、闭合密封环和屏蔽梁；

封帽层，通过第二绝缘层与所述器件层实现绝缘，并通过所述第二绝缘层的镂空区域与所述传感结构之间形成间隙；

所述器件层与基底层通过键合绝缘连接；

所述器件层、封帽层、基底层均由圆片级导体硅制成。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述传感结构包括：

第一锚点，第二锚点，感应结构，驱动结构，弹性梁；

所述第一锚点将所述弹性梁固定于所述第二绝缘层表面，所述第二锚点将所述感应结构、驱动结构固定于所述第二绝缘层表面。

3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，所述第一锚点、第二锚点与所述多个垂直互连结构一一对应键合，其中，所述第一锚点通过对应的垂直互连结构与外部接地电路连接。

4.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，与所述第一锚点对应的第一绝缘层刻蚀有所述窗口，在键合或制备垂直互连结构的同时，使所述基底层与所述接地垂直互连结构连接。

5.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述屏蔽梁通过所述闭合密封环与所述第一锚点连接接地。