[发明专利]用于控制半导体制冷片温度智能调控的控制方法及装置

权利要求书

1.一种用于控制半导体制冷片温度智能调控的控制方法，包括：电源，用于产生热量的发热电阻，半导体制冷片驱动器，用于控制发热电阻断开并与发热电阻串联的温感断路开关，以及与电源连接的半导体制冷片；其特征在于，所述方法包括：

根据所述半导体制冷片驱动器所需的工作温度确定所述发热电阻的功率以及温度系数；

根据所述半导体制冷片驱动器所需的最低工作温度确定所述温感断路开关的设定温度；

根据所述电源工作温度确定所述半导体制冷片的制热温度，所述半导体制冷片由所述半导体制冷片驱动器驱动；

其中，所述半导体制冷片制热产生的温度为所述电源提供工作温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述半导体制冷片驱动器所需的工作温度确定所述发热电阻的功率以及温度系数，包括：

获取设备所处温度与半导体制冷片驱动器的最低工作温度的差值，所述温度差值为每1摄氏度功率增加30瓦，其中，所述发热电阻的温度系数为2.1×10-3/℃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述半导体制冷片驱动器所需的最低工作温度确定所述温感断路开关的设定温度，包括：

确定所述半导体制冷片驱动器的最低工作温度；

所述温感断路开关的温度高于所述半导体制冷片驱动器的最低工作温度的5℃～10℃。

4.一种用于控制半导体制冷片温度智能调控的控制装置，其特征在于，所述装置包括：

LED温度检测器，用于检测LED灯具内LED芯片的工作环境的外围温度；

LED电源工作指示灯，与所述LED电源的输出端连接，用于检测所述LED电源是否开启；

光敏二极管，用于发送LED电源已经启动的信号；

半导体制冷片驱动器，用于接收LED电源已经启动的PWM信号以及驱动半导体制冷片；

半导体制冷片冷热转换线路，用于更改所述半导体制冷片的供电方式，更改所述半导体制冷片的工作状态；

主控制单元，用于接收所述光敏二级管发送的所述LED电源已经启动的信号，用于从LED温度检测器获取LED芯片工作的外围温度以及通过控制半导体制冷片冷热转换线路来将半导体制冷片的工作状态变为制冷；获取LED温度检测器的温度并计算LED芯片工作的外围温度达到设定温度前的温度上升速率；向所述半导体制冷片驱动器发送所述温度上升速率的PWM信号，检测断电后LED芯片的外围温度降低至设定温度后将控制半导体制冷片冷热转换线路使得半导体制冷片变为制热模式以及计算LED芯片外围温度低于设定温度的温度降低速率；向半导体制冷片驱动器发送所述温度降低速率的PWM信号直到主控制单元断电；蓄电池，用于为LED温度检测器、半导体制冷片驱动器、半导体制冷片冷热转换线路、主控制单元提供后续电能。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述LED电源工作指示灯与所述LED电源的输出端连接，当电流导通时所述LED电源工作指示灯为点亮状态。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述光敏二极管用于获取所述LED电源指示灯发出的光信号，进而导通，向所述主控制单元发送高电平信号。

7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述主控制单元用于：获取所述LED温度检测器的温度并计算LED芯片外围温度达到设定温度Ts前的温度上升速率，当接收到的温度低于设定保持的温度5℃～10℃，即为Ts-(5～10)℃；获取Ts-(5～10)℃～Ts℃之间的温度上升速率TUP，单位为℃/s，即摄氏度/秒，其满足下式来得出主控制单元向半导体制冷片驱动器发送的PWM信号，PWM_OUT＝10*T_UP，T_UP∈0.10℃～1.00℃。

8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述主控制单元用于：检测断电后LED芯片外围温度降低至设定温度后将控制半导体制冷片冷热转换线路使得半导体制冷片变为制热模式，计算LED芯片外围温度低于设定温度的温度降低速率，当接收到的温度低于设定保持Ts的温度5℃～10℃，即为Ts-(5～10)℃，因此需要计算Ts-(5～10)℃～Ts℃之间的温度下降速率T_DOWN，单位为℃/s，其满足下式来得出主控制单元向半导体制冷片驱动器发送的PWM信号，PWM_OUT＝20*T_DOWN，T_DOWN∈0.05℃～0.50℃。