[发明专利]闪存器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010943978.7 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112185971A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 李雨菲;徐杰;张宾 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 制造 方法 | ||
1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上形成氧化层；
在所述氧化层上形成浮栅层，所述浮栅层用于制作闪存器件的浮栅；
在所述浮栅层的上方形成ONO层；
在所述ONO层的上方形成控制栅层，并在所述控制栅层的形成过程中向所述控制栅层引入碳元素，所述控制栅层用于制作所述闪存器件的控制栅；
在所述控制栅层上方形成字线介质层；
形成所述闪存器件的字线结构；
形成所述闪存器件的控制栅和浮栅；
形成闪存器件的栅极侧墙。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述ONO层的上方形成控制栅层，并在所述控制栅层的形成过程中向所述控制栅层引入碳元素，包括：
在所述ONO层的上方沉积一层多晶硅，并在沉积过程中加入乙烯气体，向所述控制栅层引入碳元素。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述沉积过程中，硅烷的流量为1.0slm至2.0slm，沉积时的反应温度为400℃至600℃。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述沉积过程中，乙烯气体的流量根据掺杂比例确定。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述衬底内形成所述闪存器件的源区和漏区。
6.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述控制栅层的材料为多晶硅。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浮栅层的材料为多晶硅。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述ONO层由氧化层、氮化硅层、氧化层自下而上堆叠形成。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制栅层上方的字线介质层为氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
