[发明专利]集成电路封装结构、集成电路封装单元及相关制造方法

权利要求书

1.一种集成电路芯片(IC)封装结构，包括：

制作成面板状的封装单元的阵列，其中每个封装单元包括至少一个被封装于其中的集成电路芯片/晶片，每个集成电路芯片/晶片具有正面以及与该正面相对的背面；

包封材料层，填充各封装单元之间的空隙，至少部分地包裹各封装单元中的集成电路芯片/晶片，其中该包封材料层在对应于每个集成电路芯片/晶片的背面上的部分具有开口，将每个集成电路芯片/晶片的背面的全部或至少一部分暴露；以及

金属层，采用电镀工艺制作于所述IC封装结构的整个背面侧并填充所述开口，使该金属层与每个集成电路芯片/晶片的背面的被暴露的部分直接接触，其中所述IC封装结构的背面侧指集成电路芯片/晶片的背面所朝向的那一侧。

2.如权利要求1所述的IC封装结构，其中所述封装单元的阵列为M行乘N列的矩形阵列，M和N均为大于等于1的正整数。

3.如权利要求1所述的IC封装结构，其中所述面板状的封装单元的阵列的面板尺寸选用300mm*300mm、580mm*600mm、800mm*800mm,240mm*74mm、189mm*68mm其中之一与制作工艺相适应的尺寸。

4.如权利要求1所述的IC封装结构，其中每个集成电路芯片/晶片的背面上方的包封材料层中形成一个相对大的开口，将集成电路芯片/晶片的背面的全部或者大部分暴露。

5.如权利要求1所述的IC封装结构，其中，在每个集成电路芯片/晶片的背面上方的包封材料层中形成多个相对小的开口，将集成电路芯片/晶片的背面的多个部分暴露。

6.如权利要求1所述的IC封装结构，其中，将IC封装结构的整个背面上的包封材料层去除，以将每个集成电路芯片/晶片的背面全部暴露。

7.如权利要求1所述的IC封装结构，其中每个集成电路芯片/晶片的正面制作有多个金属焊盘。

8.如权利要求7所述的IC封装结构，进一步包括：

再布线结构，将每个集成电路芯片/晶片的所述多个金属焊盘引出以允许每个集成电路芯片/晶片与外部电路进行电气连接和信号交换。

9.如权利要求7所述的IC封装结构，进一步包括：

对应于每个集成电路芯片/晶片的多个金属凸起/金属柱，与所述多个金属焊盘电气连接。

10.如权利要求9所述的IC封装结构，其中所述多个金属凸起/金属柱穿过第一层间介电层，电耦接至再布线金属层，所述多个金属凸起/金属柱由该第一层间介电层相互隔离。

11.如权利要求10所述的IC封装结构，进一步包括第一再布线金属层，通过制作于第二层间介电层中的通孔与所述多个金属凸起/金属柱互相电气连接。

12.如权利要求1所述的IC封装结构，其中，所述金属层包括电镀铜层。

13.如权利要求12所述的IC封装结构，其中，所述金属层进一步包括导电种子层。

14.如权利要求13所述的IC封装结构，其中，所述种子层包括钛-铜堆叠。