[发明专利]引线接合装置以及引线接合方法在审
申请号: | 202010944761.8 | 申请日: | 2020-09-10 |
公开(公告)号: | CN112951732A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 田边成俊;伊藤宜司;下川一生;东条启 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/607 | 分类号: | H01L21/607 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线 接合 装置 以及 方法 | ||
1.一种引线接合装置,通过在将线按压于被接合部的状态下产生超声波振动,从而使所述线与所述被接合部接合,所述引线接合装置具备:
接合工具,使线与被接合部接触并施加负载;
超声波变幅杆,产生超声波振动;
负载传感器,连续地检测从所述接合工具向所述被接合部施加的负载;以及
控制部,控制所述接合工具以及所述超声波变幅杆的动作,
所述控制部对从所述线与所述被接合部接触起至产生所述超声波振动的期间由所述负载传感器输出的所述负载的数据进行分析,并基于分析结果,控制所述接合工具以及所述超声波变幅杆的动作。
2.如权利要求1所述的引线接合装置,
所述控制部根据从所述线与所述被接合部接触起至产生所述超声波振动的期间由所述负载传感器检测出的所述负载,计算判定值,并基于所述判定值,控制所述接合工具以及所述超声波变幅杆的动作。
3.如权利要求2所述的引线接合装置,
所述控制部在所述判定值为预先设定的基准范围内的情况下,通过在从所述接合工具向所述被接合部施加了负载的状态下,从所述超声波变幅杆产生所述超声波振动,从而进行使所述线与所述被接合部接合的接合动作,
所述控制部在所述判定值为所述基准范围外的情况下,不进行所述接合动作,而是停止所述接合工具以及所述超声波变幅杆的动作。
4.如权利要求2所述的引线接合装置,
所述控制部在所述判定值为预先设定的基准范围内的情况下,通过在从所述接合工具向所述被接合部施加了负载的状态下,从所述超声波变幅杆产生所述超声波振动,从而进行使所述线与所述被接合部接合的接合动作,
所述控制部在所述判定值为所述基准范围外的情况下,在进行所述接合动作之后,停止所述接合工具以及所述超声波变幅杆的动作。
5.如权利要求2所述的引线接合装置,
所述控制部在所述判定值为预先设定的基准范围内的情况下,通过在从所述接合工具向所述被接合部施加了负载的状态下,从所述超声波变幅杆产生所述超声波振动,从而以第一条件进行使所述线与所述被接合部接合的接合动作,
所述控制部在所述判定值为所述基准范围外的情况下,以与所述第一条件不同的第二条件进行所述接合动作。
6.如权利要求5所述的引线接合装置,
所述第一条件与所述第二条件在从所述超声波变幅杆产生的所述超声波振动的输出、进行所述接合动作的时间以及从所述接合工具向所述被接合部施加的负载中的至少某一个上不同。
7.如权利要求2~6中任一项所述的引线接合装置,
所述判定值是从所述线与所述被接合部接触起至产生所述超声波振动的期间由所述负载传感器检测的负载信号波形的任意的时间区间内的负载的时间积分值。
8.一种引线接合方法,具备:
检索工序,一边使线与被接合部接触并负载,一边连续地检测向所述被接合部施加的负载;
分析工序,根据在所述检索工序中检测出的所述负载来计算判定值;以及
动作工序,在所述分析工序中计算出的所述判定值为预先设定的基准范围内的情况下,在向所述被接合部施加了负载的状态下,进行产生超声波振动而使所述线与所述被接合部接合的接合动作,在所述判定值为所述基准范围外的情况下,进行与在所述分析工序中计算出的所述判定值为所述基准范围内的情况下不同的动作。
9.如权利要求8所述的引线接合方法,
在所述判定值为所述基准范围外的情况下,在所述动作工序中,不进行所述接合动作。
10.如权利要求8所述的引线接合方法,
反复进行所述检索工序、所述分析工序、以及所述动作工序,
在所述判定值为所述基准范围外的情况下,在所述动作工序中,在进行所述接合动作之后禁止下次的所述检索工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造