[发明专利]一种晶圆检测装置用信号模糊控制滤波器有效
申请号: | 202010945635.4 | 申请日: | 2020-09-10 |
公开(公告)号: | CN112038252B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 李玲娅;戴金方;耿晓杨 | 申请(专利权)人: | 无锡卓海科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 过顾佳;聂启新 |
地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 装置 信号 模糊 控制 滤波器 | ||
1.一种晶圆检测装置用信号模糊控制滤波器,所述晶圆检测装置包括检测传感器、同步齿条以及处理器,所述同步齿条连接所述处理器并提供时间同步信号,其特征在于,所述信号模糊控制滤波器的输入端连接所述晶圆检测装置的检测传感器、输出端连接所述处理器,所述信号模糊控制滤波器还采样所述时间同步信号,所述晶圆检测装置用于对晶圆盒内的各个晶圆槽的晶圆放置状态进行检测,所述信号模糊控制滤波器执行的方法包括:
实时获取所述检测传感器采集到的原始传感器信号并采样所述时间同步信号,所述时间同步信号和原始传感器信号分别包括若干帧,时间同步信号的每一帧分别对应晶圆盒的一个晶圆槽,每一帧的时间同步信号包括若干个波齿且相邻两帧时间同步信号之间包括帧间隔;
基于所述时间同步信号监测所述原始传感器信号在当前帧内的电平变化,并在监测到所述原始传感器信号的第一次有效信号沿时,控制输出给所述处理器的处理后信号切换至输出单个标准宽度的第一次有效电平;
在控制输出单个标准宽度的第一次有效电平的处理后信号后控制所述处理后信号输出与所述原始传感器信号同步的电平,并在监测到所述原始传感器信号的第二次有效信号沿时控制所述处理后信号切换至输出单个标准宽度的第二次有效电平,并在输出第二次有效电平后持续输出无效电平直至获取到下一帧原始传感器信号时再次执行所述基于所述时间同步信号监测所述原始传感器信号在当前帧内的电平变化的步骤。
2.根据权利要求1所述的晶圆检测装置用信号模糊控制滤波器,其特征在于,所述标准宽度基于所述时间同步信号确定,每一帧对应的所述标准宽度相同或不同。
3.根据权利要求2所述的晶圆检测装置用信号模糊控制滤波器,其特征在于,所述方法还包括:
根据所述时间同步信号确定每一帧对应的基础宽度;
确定微调宽度,并对所述基础宽度增大或减小所述微调宽度得到每一帧对应的所述标准宽度。
4.根据权利要求3所述的晶圆检测装置用信号模糊控制滤波器,其特征在于,所述根据所述时间同步信号确定基础宽度,包括:
对于第一帧时间同步信号,根据第一帧的所述时间同步信号确定第一帧对应的基础宽度;
对于其他各帧时间同步信号,根据当前帧的最近前一帧的所述时间同步信号确定当前帧对应的基础宽度。
5.根据权利要求4所述的晶圆检测装置用信号模糊控制滤波器,其特征在于,所述根据第一帧的所述时间同步信号确定第一帧对应的基础宽度,包括:
确定第一帧的所述时间同步信号的第一个波齿的宽度采样时间值为所述基础宽度。
6.根据权利要求1-5任一所述的晶圆检测装置用信号模糊控制滤波器,其特征在于,所述方法还包括:
若在控制所述处理后信号输出第二次有效电平且未达到所述标准宽度期间监测到当前帧的所述时间同步信号的最后一个波齿结束,则直接控制所述处理后信号切换至无效电平。
7.根据权利要求1-5任一所述的晶圆检测装置用信号模糊控制滤波器,其特征在于,所述方法还包括:
若在控制所述处理后信号输出第一次有效电平且未达到所述标准宽度期间监测到当前帧的所述时间同步信号的最后一个波齿结束,则继续输出有效电平直至达到所述标准宽度后持续输出无效电平直至获取到下一帧原始传感器信号时再次执行所述基于所述时间同步信号监测所述原始传感器信号在当前帧内的电平变化的步骤,否则执行所述在控制输出单个标准宽度的第一次有效电平的处理后信号后控制所述处理后信号输出与所述原始传感器信号同步的电平的步骤。
8.根据权利要求1-5任一所述的晶圆检测装置用信号模糊控制滤波器,其特征在于,所述方法还包括:
若监测到所述处理后信号的第一次有效电平的开始时刻对应相邻两帧时间同步信号之间的帧间隔,则控制所述处理后信号从当前时刻开始输出有效电平直至达到所述标准宽度后持续输出无效电平直至下一帧,否则执行所述在控制输出单个标准宽度的有效电平的处理后信号后控制所述处理后信号输出与所述原始传感器信号同步的电平的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造